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[交流]
【求助】FET測(cè)試 氧化硅絕緣層漏電 已有7人參與
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這段時(shí)間做FET device，要做低溫。但是發(fā)現(xiàn)氧化硅絕緣層居然漏電。不知道是怎么回事。不知道有經(jīng)驗(yàn)的兄弟能否給指點(diǎn)下。 我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt電極。標(biāo)準(zhǔn)的電子束曝光過程。 PMMA－曝光－顯影－鍍電極 多謝各位了。 |
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jiangweijw
銅蟲 (小有名氣)
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9樓2010-05-26 15:21:05
yipinchun(金幣+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金幣+5):多謝兄弟，可否進(jìn)一步指點(diǎn)下 2010-03-15 17:03
yipinchun(金幣+5):多謝兄弟，可否進(jìn)一步指點(diǎn)下 2010-03-15 17:03
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你從什么地方買的氧化硅片子，正常情況下是不應(yīng)該出現(xiàn)這樣的問題的，通常熱氧化過程是比較簡(jiǎn)單可靠的，要不然IC也不會(huì)得到這么大范圍的應(yīng)用。 看一下氧化硅片子的顏色，如果是深藍(lán)色，比較均勻的話，基本上可以排除是氧化硅的問題。 有多個(gè)器件的話，換個(gè)器件試試。 不過個(gè)人覺得最好考察一下測(cè)量過程和儀器搭接方式，熱氧化的氧化硅不會(huì)這么容易出問題的，特別是這種標(biāo)準(zhǔn)厚度。 低溫探針臺(tái)里面探針連接要特別小心。 |
2樓2010-03-15 16:47:46
3樓2010-03-15 17:03:07
maccaboy
至尊木蟲 (著名寫手)
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4樓2010-03-15 19:42:46
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