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Atma木蟲 (小有名氣)
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[交流]
【討論】材料的帶隙是怎樣影響FET器件的開關(guān)比的？ 已有11人參與
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看文獻說graphene無gap，所以開關(guān)比低，不理解 [ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ] |
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小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
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一般來說，帶隙小的，導(dǎo)電性好些，當(dāng)然這個和摻雜的濃度有關(guān)， 導(dǎo)電性好，開關(guān)比，自然就低， 這個很好理解，不加gate電壓的時候?qū)щ娦跃秃芎昧�，那么加gate電壓后 也很好，這樣就開關(guān)的電流比就很小了，像Graphene，ITO等導(dǎo)電性好的材料， 開關(guān)比都很低，做成TFT主要是測他們的遷移率，要做開關(guān)的器件，比如邏輯電路 驅(qū)動LCD等，就不行了，所以Graphene的意義一下子降低了很多，當(dāng)然如果graphene 通過改性或摻雜能增加他的帶隙，降低他的電導(dǎo)率，還是很有前途的。 |
3樓2010-10-10 11:00:46
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2樓2010-06-27 18:19:58
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7樓2010-11-09 13:50:36
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8樓2010-11-17 11:34:08
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9樓2012-02-26 14:03:10
10樓2012-08-20 23:50:01
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