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Atma木蟲 (小有名氣)
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[交流]
【討論】材料的帶隙是怎樣影響FET器件的開關(guān)比的? 已有11人參與
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看文獻說graphene無gap,所以開關(guān)比低,不理解 [ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ] |
鐵桿木蟲 (小有名氣)
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一般來說,帶隙小的,導(dǎo)電性好些,當(dāng)然這個和摻雜的濃度有關(guān), 導(dǎo)電性好,開關(guān)比,自然就低, 這個很好理解,不加gate電壓的時候?qū)щ娦跃秃芎昧,那么加gate電壓后 也很好,這樣就開關(guān)的電流比就很小了,像Graphene,ITO等導(dǎo)電性好的材料, 開關(guān)比都很低,做成TFT主要是測他們的遷移率,要做開關(guān)的器件,比如邏輯電路 驅(qū)動LCD等,就不行了,所以Graphene的意義一下子降低了很多,當(dāng)然如果graphene 通過改性或摻雜能增加他的帶隙,降低他的電導(dǎo)率,還是很有前途的。 |
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