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xiongying_swust新蟲 (正式寫手)
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[交流]
【請教】關(guān)于薄膜材料的UV-vis表征疑惑之處的請教 已有2人參與
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各位大俠，請教一個問題： 我在p型單晶硅上做了大約2微米厚的寬帶隙半導(dǎo)體材料薄膜（Hall效應(yīng)測量表明是n型導(dǎo)電，載流子濃度和導(dǎo)電率均較高），想通過UV-vis光譜來測量其帶隙結(jié)構(gòu)，藉此來分析可能的施主能級位置（距導(dǎo)帶底），最初設(shè)想測鏡面反射率來推算其吸收光譜，但效果很不理想，整個波長范圍內(nèi)（200-1200nm）反射率僅為14%左右，由于薄膜樣品無法自支撐，肯定不能把Si基片去除后直接測其透射光譜的，所以問題主要有： （1）是不是鏡面反射這種測試模式有問題？由于薄膜與Si基底之間的界面結(jié)構(gòu)，測出來的數(shù)據(jù)不是真實的膜的值（光線首先被薄膜吸收一部分，反射一部分，透過薄膜的光線在薄膜與Si的界面處再發(fā)生吸收與反射過程，被發(fā)射的光線又要穿過薄膜而到達(dá)薄膜與空氣的表面處）？ （2）如果采用透射模式測量的話，可否首先測單晶Si片的透射光譜，然后再測樣品（薄膜+Si基底）的透射光譜，最后二者直接相減來得到樣品的透射光譜呢？ |
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xiongying_swust
新蟲 (正式寫手)
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2樓2010-05-06 20:53:04
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3樓2011-06-09 23:21:58
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