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【求助】非晶、微晶、多晶、單晶硅光學(xué)能隙的區(qū)別？ 已有4人參與
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請問為什么非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒕Ч韬�，光學(xué)能隙要變大？ 而當(dāng)晶化程度繼續(xù)將強(qiáng)，成為多晶硅或單晶硅時，光學(xué)能隙卻要降低？ 謝謝啊！ |
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2樓2010-06-02 00:02:58
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5樓2014-11-04 17:56:57
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非晶硅硅中有微小晶粒的時候，光學(xué)帶隙是比純的非晶硅（1.75eV) 要大，可以接近2.0eV，有種說法是量子效應(yīng)導(dǎo)致的，不過具體還不清楚。 當(dāng)晶粒為主， 非晶硅其填充作用時，光學(xué)帶隙就跟晶體硅差不多，1.1eV，從器件的量子效應(yīng)看也是跟晶體硅接近，材料的光熱偏轉(zhuǎn)譜也說明光學(xué)帶隙接近1.1eV；而透射和反射譜計算到的光學(xué)帶隙在2.0eV左右，這個計算不對，只作參考用。 晶粒再大，光學(xué)帶隙更接近于單晶硅的1.1eV。 |
6樓2014-11-05 01:22:03
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