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[交流]
【求助】非晶、微晶、多晶、單晶硅光學(xué)能隙的區(qū)別？ 已有4人參與
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請(qǐng)問(wèn)為什么非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒕Ч韬�，光學(xué)能隙要變大？ 而當(dāng)晶化程度繼續(xù)將強(qiáng)，成為多晶硅或單晶硅時(shí)，光學(xué)能隙卻要降低？ 謝謝��！ |
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cord 
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小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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非晶硅硅中有微小晶粒的時(shí)候，光學(xué)帶隙是比純的非晶硅（1.75eV) 要大，可以接近2.0eV，有種說(shuō)法是量子效應(yīng)導(dǎo)致的，不過(guò)具體還不清楚。 當(dāng)晶粒為主， 非晶硅其填充作用時(shí)，光學(xué)帶隙就跟晶體硅差不多，1.1eV，從器件的量子效應(yīng)看也是跟晶體硅接近，材料的光熱偏轉(zhuǎn)譜也說(shuō)明光學(xué)帶隙接近1.1eV；而透射和反射譜計(jì)算到的光學(xué)帶隙在2.0eV左右，這個(gè)計(jì)算不對(duì)，只作參考用。 晶粒再大，光學(xué)帶隙更接近于單晶硅的1.1eV。 |
6樓2014-11-05 01:22:03
cord
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2樓2010-06-02 00:02:58
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4樓2010-06-03 10:40:30
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