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【分享】XPS 儀器介紹 已有2人參與
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XPS X 射線光電子能譜學(xué) (XPS) 通過使用 X 射線光束照射固體樣品的表面并收集從樣本表面放射的光電子光譜，來提供表面化學(xué)狀態(tài)信息。通常，XPS 測量的分析深度小于 10 nm，同時取決于逸出光電子的動能。光電子光譜包含可用于識別被檢測元素化學(xué)狀態(tài)的結(jié)合能信息。VersaProbe 配備了通過 XPS 進(jìn)行表面成分分析、薄膜分析和成像的工具�？蛇x附件可使用價帶光譜，掃描俄歇電子光譜，并在真空條件下處理樣品或樣品表面改性。 VersaProbe 關(guān)鍵的技術(shù)特性 掃描 X 射線源 光柵掃描微觀聚焦的 X 射線光束*和高靈敏度能量分析器可提供最高性能的小區(qū)域 XPS 分析能力。VersaProbe 受專利權(quán)保護(hù)的 X 射線源可提供最小直徑小于 10 µm 的各種 X 射線光束。在軟件控制下，通過掃描 X 射線光束可以確定多個分析點(diǎn)、面或線。 * 日本專利號 P3752252、日本專利號 P3754696；美國專利號 5,315,113、美國專利號 5,444,242；歐洲專利號 0590308B1、歐洲專利號 0669635B1 此 X 射線源的一項(xiàng)獨(dú)特能力是能夠在分析前創(chuàng)建樣品表面的二次電子圖像。 這些能夠激發(fā)二次電子圖像 (SXI) 的 X 射線光束能夠迅速鎖定分析所用的細(xì)微特征。 由于使用相同的X射線源和分析器，進(jìn)行XPS分析和SXI成像，因此，在定位分析微區(qū)特征方面，可信度非常高。 雙束流電荷中和 受專利權(quán)保護(hù)的雙束流電荷中和方法**兼用低能電子和離子來中和絕緣樣品的表面電荷。 這一獨(dú)特方式在分析不同類型的樣品時無需重調(diào)就能提供穩(wěn)健的電荷補(bǔ)償。 懸浮柱狀離子槍和冷陰極發(fā)射器提供大密度流低能量的離子和電子。 ** 日本專利號 P3616714、美國專利號 5,990,476、歐洲專利號 0848247B1 尖端的材料分析工具 (1) Compucentric Zalar Rotation（標(biāo)準(zhǔn)） Zalar 旋轉(zhuǎn)是在濺射的過程中，通過旋轉(zhuǎn)樣品來減少濺射造成的假象。 Compucentric Zalar Rotation 允許用戶指定一個分析位置作為旋轉(zhuǎn)中心。 (2) 多功能樣品處理（標(biāo)準(zhǔn)和可選） VersaProbe 的標(biāo)準(zhǔn)配置配有直徑為 25 和 60 mm 的樣品盤，可用于安裝較大的樣品或多個較小的樣品。 直徑為 95 mm 的樣品處理能力可作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)。 (3) 傳輸管（可選） 樣品傳輸管可在真空或惰性氣體中將直徑為 25 mm 的樣品襯墊從手套式工作箱或其他器具傳輸?shù)?VersaProbe，從而保護(hù)氣敏樣品。 (4) 對有機(jī)或聚合物基材料進(jìn)行深度剖析的 C60 濺射離子槍（可選） C60 源濺射用于濺射分析有機(jī)物和聚合物材料的功能很獨(dú)特，可以最大程度地減少對被濺射表面以下的材料表面所造成的化學(xué)破壞（專利申請中）。 C60 濺射還有一種非常有用的新型功能，可濺射清洗有機(jī)和聚合物表面，并對這些材料進(jìn)行薄膜分析，同時還能提供有用的化學(xué)狀態(tài)信息。 (5) 真空紫外線源（可選） VUV 源可以通過輝光放電設(shè)備生成（低能耗）紫外線射線。 He I ray (21.22 eV) 和 He II ray (40.80 eV) 最為常用。 紫外線的能量擴(kuò)展度非常窄（僅為幾兆電子伏），從而能夠以高能量分辨率測量價帶和費(fèi)米能級。 (6) 雙陽極 X 射線源（可選） 可供選擇的非單色 X 射線源有 Mg（鎂）陽極和 Al（鋁）陽極或者 Mg（鎂）陽極和 Zr（鋯）陽極組合。 (7) 加熱/冷卻樣品臺（可選） 可將樣品加熱到 500 °C和用液氮冷卻到 -120 °C 的液態(tài)氮，用于分析低蒸氣壓和溫度敏感材料。 (8) 掃描電子槍（可選） 可將一個可選電子槍添加至 VersaProbe，進(jìn)行小于 100 nm 的最小光束掃描俄歇分析。 自動分析 PHI SUMMITT 是 VersaProbe 的儀器控制軟件包，當(dāng)前可在安裝在高性能 PC 的 MS Windows XP 操作系統(tǒng)上運(yùn)行。 SUMMITT 可通過已保存的用戶設(shè)置來控制硬件，您可在基于宏的分析例行程序中訪問這些設(shè)置以獲取多個樣本的測量結(jié)果。 通過自動樣本 Z 高度調(diào)整和雙束流電荷中和，在分析時無需操作者參與就能自動分析絕緣材料。 PHI MultiPak PHI MultiPak 是 VersaProbes 數(shù)據(jù)簡化軟件包，可與 Windows 兼容，并能安裝在絕大多數(shù)辦公用計(jì)算機(jī)，以簡化遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)。 MultiPak 包含大量簡化數(shù)據(jù)和展示 XPS 數(shù)據(jù)的常見預(yù)期功能，以及大量高級工具，包括數(shù)據(jù)庫的峰鑒定、線性最小二乘擬合 (LLS)、目標(biāo)因子分析 (TFA)、弧線調(diào)整以及對由 ARXPS 獲取的超薄膜剖面層次分析。 基礎(chǔ)設(shè)施要求 裝運(yùn)重量： 約1,000 kg 實(shí)驗(yàn)室入口： 門寬不低于 100 cm，門高不低于 180 cm 電力： 單相 200-230V 交流電，50 A，50/60 Hz 壓縮空氣： 不低于 620 kPa 干氮?dú)猓?nbsp; 不高于 16 kPa 環(huán)境要求： 靜磁場： 100 μT (1 G) 或更低 交變磁場： 0.3 μT (3 mG) 或更低 震動： 10 μm 或更低 (0.1~60 Hz) 的位移 溫度： 20±5 攝氏度 濕度： 70% 或更低（無冷凝） 散熱： 正常使用時 3000 W 烘烤時不高于 7000 W 性能規(guī)格： X射線束斑最小直徑： 10μm 或更小 探測器類型： 16 道 MCD X 射線源掃描面積： 最大 1.4 mm2 離子槍加速電壓 : 最高 5 kV 離子槍光柵面積 : 最大 7 mm2 直徑為 20 µm 的X 射線光束的 Ag 3d5/2 峰的性能 峰寬 (FWHM eV) 靈敏度 (cps) 0.60 15,000 1.00 45,000 1.30 60,000 最大能量分辨率： 對 Ag3d5/2 來說低于 0.5 eV 最大靈敏度： 對 Ag 3d5/2 來說 ≥1,000 kcps @ ≤ 1.0 eV FWHM X 射線源羅蘭圈的直徑： 200 mm 最大真空壓力： 在主分析室為 6.7 x 10-8 Pa 或更小 Windows 是 Microsoft Corporation 的商標(biāo)。 |
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2樓2010-06-07 21:01:21
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3樓2018-08-29 21:23:50
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