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wangkaiyue金蟲 (著名寫手)
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[交流]
【求助】離子注入與電子輻射的區(qū)別 已有5人參與
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| 離子注入ion implant是將高能量的離子打入固體表面或內(nèi)部，從而形成半導體材料，而電子輻射electron irradition是利用高能或低能電子使材料產(chǎn)生活性空位，那使用的電子去哪了？？反射了還是留在基體內(nèi)？？請問各位大蝦，兩者的區(qū)別，本人是菜鳥。 |
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7樓2010-07-05 08:29:40
3樓2010-07-04 01:07:42
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4樓2010-07-04 09:15:31
★ ★ ★ ★ ★
小木蟲:)(金幣+5):3q 2010-07-04 22:03:07
wangkaiyue(金幣+1): 2010-07-05 11:17:39
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wangkaiyue(金幣+1): 2010-07-05 11:17:39
wangkaiyue(金幣+1): 2010-07-05 11:18:36
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離子注入和電子輻照都是輻照方式，當然絕大部分都是留在材料內(nèi)部，這毫無疑問。 不同之處在與于一個核能損為主，一個點電子能損為主。 至于后續(xù)造成的導電性能的影響，你似乎還沒有徹底理解這個問題，電子導電還是空穴導電是宏觀行為，得和材料的整體性能放在一起考慮，不能說電子輻照了就成了N型了，殊不知他內(nèi)部造成的大量缺陷以及自由載流子與輻照能量和劑量密切相關。 |
5樓2010-07-04 21:10:50
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