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[交流]
【求助】Ni摻雜帶隙問題？ 已有2人參與
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我用Ni摻雜SIC，用了2種參數(shù)設(shè)置： 1 勾選Use formal spin as initial, LDA+U中U設(shè)置的是2.5eV 2 initial spin 設(shè)置成2，LDA+U中U設(shè)置的是4.5eV 用的是64個原子的晶胞。方法1得到的帶隙是0.9eV,沒有磁性，計算時間大約8h。方法2得到的是0.5eV,有磁性,計算時間大約26h。我本來覺得方法2參數(shù)設(shè)置更好點，但查的文獻上都說Ni摻雜SIC沒有磁性的，帶隙也沒這么窄，困惑很長時間了，不知道那種設(shè)置得到的結(jié)果是對的。  期待高手們能指點一下，萬分感謝中…… |
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4樓2010-07-14 23:20:57
2樓2010-07-14 19:46:01
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看了論壇的有關(guān)spin的討論，根據(jù)過渡金屬spin的設(shè)置，貌似第二種方法是對的。 第一種方法中castep中有： Warning in parameters_read: number of up-spin electrons is equal to the number of down-spins and spin_polarized=true - consider setting spin_polarized=false. 我又試了不勾選sipn的方法，帶隙變?yōu)?.1ev,有磁性。文獻中用別的方法計算出的摻雜后帶隙應(yīng)該是1.67ev左右。我摻雜的是3C-SIC。 論壇中算過摻雜過渡金屬的高手們，迫切希望你們的指點�。。� [ Last edited by dyk325 on 2010-7-18 at 10:47 ] |
5樓2010-07-16 10:00:50
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