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【求助】請(qǐng)問一個(gè)利用ICP刻蝕PI的方法 已有6人參與
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請(qǐng)教一個(gè)利用ICP刻蝕PI的方法 我的主要實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖窃赑I上光刻做出金膜圖形,然后想利用PI做犧牲層采用ICP刻蝕方法將金膜圖形最窄區(qū)域(2um寬)刻透(橫向)。但是目前沒辦法測(cè)得ICP刻蝕的縱向速率與橫向速率之比。主要是難于將橫向刻蝕深度測(cè)得。 請(qǐng)問大家有誰(shuí)做過PI的刻蝕沒有,可有這方面的數(shù)據(jù)?金幣不多。。只能提供這些了,謝謝了! 我采用的是ICP刻蝕條件:CF4:O2=10:50(流量比),壓力0.4Pa,上電極300w,下電極100w,偏壓200V。 |
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