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dgchan新蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】求單晶Si(100)的標(biāo)準(zhǔn)衍射圖
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| 在Si(100)面上鍍膜，XRD顯示12度、35度、70度左右各有一峰，其中70度的峰遠(yuǎn)高于前兩個(gè)度數(shù)的峰，而且查閱文獻(xiàn)，其標(biāo)70度峰為Si(400)(他用的也是Si（100）鍍的膜)，請(qǐng)問(wèn)為什么會(huì)這樣標(biāo)?而本人做的12度，35度峰，在其文獻(xiàn)中并未出現(xiàn)，請(qǐng)問(wèn)是否正常？~謝謝 |
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haosir88
木蟲 (小有名氣)
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- 專業(yè): 凝聚態(tài)物性 II ：電子結(jié)構(gòu)
| 若X射線波長(zhǎng)為1.15406nm時(shí)，Si晶格常數(shù)取0.5431nm（Smakula A, Kalnajs J. Precision Determination of Lattice Constants with a Geiger-Counter X-Ray Diffractometer. Physical Review ,1955, 99(6), 1737-1743.）時(shí)，粉晶XRD譜圖在（100）（200，32.96滿足4n+2)位置從理論上分析是會(huì)出現(xiàn)消光現(xiàn)象的。但用衍射儀測(cè)量Si基（100）薄膜時(shí)常觀測(cè)到（200）衍射峰。在使用X射線衍射儀測(cè)量薄膜材料時(shí)，常采用衍射儀進(jìn)行掃描，一般有兩種工作方式，一種是X射線不動(dòng)，樣品旋轉(zhuǎn)theta，探測(cè)器旋轉(zhuǎn)2theta ，另一種是樣品不動(dòng)X射線與探測(cè)器分別以順時(shí)針和逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)theta。由此可知，樣品中只有與基片平行的晶面才能被衍射儀測(cè)量到，這樣Si的其它衍射峰就看不到了，但為什么出現(xiàn)（200），我也不是很清楚，但應(yīng)該是與Si基片為單晶片有關(guān)，測(cè)量時(shí)光線相干涉引起的。還有待高人幫助分析。 |
2樓2010-09-12 10:46:35
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