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Ilovenewyork銅蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】用vasp計算表面的DOS有什么需要注意的? 已有3人參與
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大家好! 我之前用vasp算過晶體的DOS,但是現(xiàn)在老板要求我改算表面的DOS。有很多問題不知道從何著手。 首先,模型怎么建? Material。樱簦酰洌椋镏薪ⅲ樱酰穑澹颍悖澹欤烊缓笤伲茫欤澹幔觯, 再導(dǎo)入vasp的POSCAR中,這樣行么? 其次,Cleave后表面用加H么? 不然有懸掛鍵怎么算呢? 第三,POSCAR中是不是固定下面幾層原子,然后只遲豫上面兩到三層?那個“真空層”在這里面是怎么體現(xiàn)出來的呢? 最后,是不是要取比如7×7×1類似的kpoints? 那個“1”應(yīng)該是哪個方向呢? 本人以前從未算過表面,問題可能有些幼稚,希望蟲蟲們不要嘲笑,懇請指教! |
第一性原理 | VASP |
銀蟲 (小有名氣)
銅蟲 (小有名氣)
至尊木蟲 (職業(yè)作家)
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1) MS里面有build crystal的模塊,用這個功能構(gòu)造你所計算的材料的晶體模型,其晶格常數(shù),里面的原子坐標等都可以參考你現(xiàn)在用的POSCAR文件里面的信息; 2)構(gòu)造好了所計算材料的晶體模型后,再利用MS里面的cleave 表面的模塊構(gòu)造出你所要計算的表面; 3)MS里面好像也要給懸掛鍵加氫H的功能,自己摸索一下,找找是哪個圖標。 4)下表面的原子的懸掛鍵加了H的話,那就把最下面的幾層原子給固定,優(yōu)化上表面的幾層原子。真空層通過 垂直于表面的晶格常數(shù)的長度來體現(xiàn)的,這個方向上的晶格常數(shù)要比原子層的厚度大很多,比如大到10 angstrom左右。MS里面在cleave surface,構(gòu)造slab時,也是可以加上真空層厚度的。 5)"1"就是與表面垂直的那個方向上。 |
木蟲 (正式寫手)
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