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vaspstudy銀蟲 (小有名氣)
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[交流]
【其他】缺陷形成能與電中性要求 已有5人參與
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S. B. Zhang PRL67(1991)2339中對(duì)電中性的要求是 其中左邊第一性為缺陷電荷密度，第二項(xiàng)為電子濃度，第三項(xiàng)為空穴濃度；右邊為有效摻雜水平。 而在S. B. Zhang PRB 47(1993) 6791中，張老師對(duì)電中性的描述卻是  求對(duì)此有研究的蟲友們幫忙解釋一下，謝謝啊 |
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vaspstudy
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9樓2010-09-14 19:04:31
江山8806
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搭車問路： 對(duì)于帶電的缺陷，比如失去一個(gè)O原子的氧化物，它還是電中性的，核電荷數(shù)等于電子數(shù)。但是有不少文獻(xiàn)討論缺陷帶電的情況，我一直沒有搞明白其物理圖像。 超胞核電荷數(shù)設(shè)為Z,總電子數(shù)設(shè)為NELECT. 令NELECT=Z+n。如n=1，表示缺陷帶一個(gè)負(fù)電荷，超胞也是帶一個(gè)負(fù)電荷的。 有文獻(xiàn)討論n的具體數(shù)字（1，2，3，...），來(lái)看不同荷電情況下超胞的穩(wěn)定性，能量最低的認(rèn)為是最穩(wěn)定的，所對(duì)應(yīng)的n就是平衡帶電電子數(shù)。 那么，指定超胞荷電數(shù)是通過NELECT參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的？NELECT只能給出總電荷數(shù)，而不能具體指定缺陷位置（如原子空穴）電荷數(shù)。如果通過NELECT引入的過量電子（超過Z）是局域的，那超胞收斂后做電子布局，就可以找到電子局域到那個(gè)原子上了？ [ Last edited by 江山8806 on 2010-9-13 at 16:52 ] |
2樓2010-09-13 16:50:40
vaspstudy
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3樓2010-09-13 20:37:53
valenhou001
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cenwanglai(金幣+1):謝謝侯老師回帖。這篇文獻(xiàn)是講得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金幣+1): 2010-09-14 09:18:15
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cenwanglai(金幣+1):謝謝侯老師回帖。這篇文獻(xiàn)是講得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金幣+1): 2010-09-14 09:18:15
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建議做點(diǎn)缺陷的計(jì)算時(shí)，仔細(xì)讀讀這篇文獻(xiàn)： J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004); doi:10.1063/1.1682673 (29 pages) First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides Chris G. Van de Walle1 and Jörg Neugebauer2 http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v95/i8/p3851_s1 這篇文獻(xiàn)講的很詳細(xì)。 |
4樓2010-09-13 21:38:07
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