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utimasa新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求助VASP 處理帶電缺陷的問題！能量變化太大
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本人正在算一個半導(dǎo)體氧化物中引入N雜質(zhì)，N替換O，計算其形成能。 首先計算了中性缺陷，體系的總能： ETOT= -648.481449 eV 然后計算N（-1）,體系的總能，將NELECT設(shè)為NELECT(原來的中性體系）+1 得到ETOT=-643.658924 eV 竟然相差4.82eV。 也就是說如果N得到一個電子，體系的能量竟然增加了4.82eV. 其他參數(shù)都是一樣，沒有變化。 根據(jù)實驗，N是很好的受主，應(yīng)該是容易得到電子。 百思不得其解。 望有高手指點(diǎn)一二！ 不勝感激！ 以下是輸入文件INCAR： NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written) PREC = Normal ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no) INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand ENCUT = 450.0 eV EDIFF = 1.0E-06 NSW = 0 # number of steps for ionic upd IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG ISIF = 2 ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force) SIGMA = 0.05 LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT) # NELECT = 702.0000 #plus U LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 -1 -1 2 LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2 LDAUPRINT=2 LMAXMIX=4 [ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ] |
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 第一原理資料匯編 | 帶電摻雜體系形成能 | first principle | 雜七雜八 |
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兩個體系電子數(shù)目不等，直接比較總能量是沒有意義的。 如果真的要比帶電前后的能量差別，那也應(yīng)該是比較：（"中性體系+一個額外電子"的總能量)與（"帶一個電子體系"的總能量) 后一項自然是你計算得到的Etot 前一項還需要加上一個電子的能量，但這個能量的定義方式需要結(jié)合具體情況。比如你這里，如果認(rèn)為這個電子是從半導(dǎo)體氧化物中轉(zhuǎn)移來的，那么這個電子的能量就是半導(dǎo)體氧化物的費(fèi)米能級的能量。不過實際計算的時候不能直接把bulk計算得到的Ef直接拿來用，因為還要考慮不同計算時候的band align。 關(guān)于缺陷形成能的計算和討論可以看看這篇綜述，里面介紹的比較詳細(xì) J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004) |
6樓2012-02-15 17:46:46
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