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utimasa新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求助VASP 處理帶電缺陷的問題!能量變化太大
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本人正在算一個半導體氧化物中引入N雜質,N替換O,計算其形成能。 首先計算了中性缺陷,體系的總能: ETOT= -648.481449 eV 然后計算N(-1),體系的總能,將NELECT設為NELECT(原來的中性體系)+1 得到ETOT=-643.658924 eV 竟然相差4.82eV。 也就是說如果N得到一個電子,體系的能量竟然增加了4.82eV. 其他參數都是一樣,沒有變化。 根據實驗,N是很好的受主,應該是容易得到電子。 百思不得其解。 望有高手指點一二! 不勝感激! 以下是輸入文件INCAR: NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written) PREC = Normal ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no) INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand ENCUT = 450.0 eV EDIFF = 1.0E-06 NSW = 0 # number of steps for ionic upd IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG ISIF = 2 ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force) SIGMA = 0.05 LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT) # NELECT = 702.0000 #plus U LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 -1 -1 2 LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2 LDAUPRINT=2 LMAXMIX=4 [ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ] |
第一原理資料匯編 | 帶電摻雜體系形成能 | first principle | 雜七雜八 |
新蟲 (初入文壇)
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