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utimasa新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求助VASP 處理帶電缺陷的問題！能量變化太大
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本人正在算一個(gè)半導(dǎo)體氧化物中引入N雜質(zhì)，N替換O，計(jì)算其形成能。 首先計(jì)算了中性缺陷，體系的總能： ETOT= -648.481449 eV 然后計(jì)算N（-1）,體系的總能，將NELECT設(shè)為NELECT(原來的中性體系）+1 得到ETOT=-643.658924 eV 竟然相差4.82eV。 也就是說如果N得到一個(gè)電子，體系的能量竟然增加了4.82eV. 其他參數(shù)都是一樣，沒有變化。 根據(jù)實(shí)驗(yàn)，N是很好的受主，應(yīng)該是容易得到電子。 百思不得其解。 望有高手指點(diǎn)一二！ 不勝感激！ 以下是輸入文件INCAR： NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written) PREC = Normal ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no) INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand ENCUT = 450.0 eV EDIFF = 1.0E-06 NSW = 0 # number of steps for ionic upd IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG ISIF = 2 ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force) SIGMA = 0.05 LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT) # NELECT = 702.0000 #plus U LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 -1 -1 2 LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2 LDAUPRINT=2 LMAXMIX=4 [ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ] |
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 第一原理資料匯編 | 帶電摻雜體系形成能 | first principle | 雜七雜八 |
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9樓2012-02-19 19:24:28
uuv2010
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2樓2012-02-13 15:01:39
utimasa
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3樓2012-02-14 09:10:03
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4樓2012-02-14 14:36:15
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