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darren21金蟲 (正式寫手)
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[交流]
【討論】ICP 和RIE的區(qū)別~ 已有1人參與
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大家可以暢所欲言 ICP:Inductive Coupled Plasma RIE: Reactive Ion Etching 從設(shè)備結(jié)構(gòu)上ICP比RIE多了一個RF,其他機理上的區(qū)別大家可以繼續(xù)討論! |
銀蟲 (小有名氣)
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ICP刻蝕,多了一個RF,其中環(huán)形RF用于產(chǎn)生交變電場,當(dāng)電壓足夠高時,氣體產(chǎn)生放電進入等離子態(tài),而通過交變的電磁場使等離子體中電子路徑改變,增加了等離子體密度。而另一個RF的作用與RIE中的類似,即為偏置電壓,給等離子體提供能量,使其垂直作用于基片,進行刻蝕。 ICP正是多了這樣一個RF,使得其腔體內(nèi)等離子體密度要比RIE中高很多,產(chǎn)生的物種也多很多,例如活性游離基、亞穩(wěn)態(tài)粒子、原子等,ICP刻蝕包含了物理和化學(xué)等復(fù)雜過程;RIE中僅為少量的電離的粒子,能量不高,與基底反應(yīng)性差。 因此采用ICP刻蝕相對于RIE控制精度高,選擇比好,刻蝕均勻性好,且污染較少,刻蝕的垂直度和光潔度較高。 |
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