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darren21金蟲 (正式寫手)
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[交流]
【討論】ICP 和RIE的區(qū)別～ 已有1人參與
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大家可以暢所欲言 ICP:Inductive Coupled Plasma RIE: Reactive Ion Etching 從設(shè)備結(jié)構(gòu)上ICP比RIE多了一個(gè)RF，其他機(jī)理上的區(qū)別大家可以繼續(xù)討論！ |
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apolloljy
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4樓2010-09-21 18:37:42
apolloljy
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★
darren21(金幣+5):謝謝討論！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金幣+1):謝謝交流，歡迎常來 2010-09-21 17:28:11
darren21(金幣+5):謝謝討論！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金幣+1):謝謝交流，歡迎常來 2010-09-21 17:28:11
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ICP刻蝕，多了一個(gè)RF，其中環(huán)形RF用于產(chǎn)生交變電場(chǎng)，當(dāng)電壓足夠高時(shí)，氣體產(chǎn)生放電進(jìn)入等離子態(tài)，而通過交變的電磁場(chǎng)使等離子體中電子路徑改變，增加了等離子體密度。而另一個(gè)RF的作用與RIE中的類似，即為偏置電壓，給等離子體提供能量，使其垂直作用于基片，進(jìn)行刻蝕。 ICP正是多了這樣一個(gè)RF，使得其腔體內(nèi)等離子體密度要比RIE中高很多，產(chǎn)生的物種也多很多，例如活性游離基、亞穩(wěn)態(tài)粒子、原子等，ICP刻蝕包含了物理和化學(xué)等復(fù)雜過程；RIE中僅為少量的電離的粒子，能量不高，與基底反應(yīng)性差。 因此采用ICP刻蝕相對(duì)于RIE控制精度高，選擇比好，刻蝕均勻性好，且污染較少，刻蝕的垂直度和光潔度較高。 |
2樓2010-09-21 11:37:54
darren21
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3樓2010-09-21 12:36:25
6樓2012-10-09 13:51:28
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