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bingmou金蟲 (著名寫手)
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[交流]
【求助】空位形成能計(jì)算的討論 已有7人參與
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到底應(yīng)該怎么計(jì)算空位形成能呢？ stractor在這里(http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=1728484&fpage=0&view=&highlight=&page=2)曾經(jīng)說過： 這樣計(jì)算形成能： 設(shè)E1為完整晶格的能量，E2為有一個(gè)空位的晶格的能量，E3為挖走這個(gè)Al原子的能量，這形成能 E=(E2+E3)-E1. 對(duì)E3的處理不同研究者會(huì)給出不同的能量，有的是給出FccAl晶格中一個(gè)Al原子的能量，有的給出是原子狀態(tài)的能量，有的還會(huì)考慮其它環(huán)境因素而給出另外的E3表達(dá)式（Phys. Rev. B 80, 184110 (2009)）。 而這個(gè)E3的確有很多中處理方法，例如第三種其實(shí)就是這里(http://www.materialssimulation.com/node/258)所采用的化學(xué)勢(shì)的方法；第二種方法就是侯老師在他的手冊(cè)中提到的采用單原子的方法，用VASP計(jì)算的同學(xué)都應(yīng)該很熟悉。第一種是比較特殊的，采用所謂的最穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)的方法。 但是我覺得這后面兩個(gè)種都有點(diǎn)問題 首先空位形成應(yīng)該是這樣的一個(gè)過程：晶體中的空位是在不斷形成又同時(shí)消失的，原子有可能跳入間隙位而產(chǎn)生了空位，也有可能是位錯(cuò)而產(chǎn)生了空位。所以這個(gè)少掉的原子還在這體系中，而不是回到單質(zhì)中（第一種情況），因?yàn)檫@時(shí)候已經(jīng)不是在生成反應(yīng)中了；也不是回到真空基態(tài)（第二種情況），那是對(duì)表面原子才有可能的。因此我覺得我們?cè)谟?jì)算空位形成能的時(shí)候必須采用第一種方法，確定這個(gè)離開位置的原子的化學(xué)勢(shì)。 但是怎么確定化學(xué)勢(shì)呢？ 有人認(rèn)為應(yīng)該采用E_F=E_{defect}-\frac{N-1}{N}E_{no defect}的方式，也就是認(rèn)為\frac{E_{no defect}}{N}是這個(gè)原子的化學(xué)勢(shì)。如果對(duì)于單個(gè)成分的體系來說，這樣是可以的；但是如果是對(duì)于GaN這種體系還可以嗎？在Ga和N這兩種成分的化學(xué)勢(shì)相等嗎？我覺得應(yīng)該是可以的，因?yàn)橐粋�(gè)體系穩(wěn)定的要求就是兩種元素的化學(xué)勢(shì)是相等的，所以這樣的公式是比較可靠的。這個(gè)公式來源：ab initio calculation of the formation energy of charged vacancies in germanium （感謝enola,http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=2440380) 不知各位對(duì)此有什么看法?是否同意我的看法呢？ 這里討論的是自發(fā)缺陷，而非摻雜缺陷。摻雜缺陷我是認(rèn)同采用單質(zhì)（第一種情況）的做法的+適當(dāng)考慮環(huán)境的因素的。 [ Last edited by bingmou on 2010-10-20 at 15:55 ] |
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stractor
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小木蟲(金幣+0.5):給個(gè)紅包，謝謝回帖交流
bingmou(金幣+2):感謝詳細(xì)回復(fù) 2010-10-20 23:36:48
zzy870720z(金幣+2):謝謝參與熱點(diǎn)討論 2010-10-21 10:10:49
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zzy870720z(金幣+2):謝謝參與熱點(diǎn)討論 2010-10-21 10:10:49
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先補(bǔ)充一點(diǎn)吧。 “首先空位形成應(yīng)該是這樣的一個(gè)過程：晶體中的空位是在不斷形成又同時(shí)消失的，原子有可能跳入間隙位而產(chǎn)生了空位，也有可能是位錯(cuò)而產(chǎn)生了空位。所以這個(gè)少掉的原子還在這體系中，而不是回到單質(zhì)中（第一種情況）……”。 這種情況不是孤立的空位了，而是缺陷形成的complex。bingmou你提到的這種空位-間隙對(duì)是Frenkel 缺陷。當(dāng)然從研究角度講，如果對(duì)complex感興趣，可以研究一下。 考慮化學(xué)勢(shì)就是因?yàn)槿毕莸漠a(chǎn)生受環(huán)境的影響的，比如，間隙或者空位會(huì)與其它元素結(jié)合生產(chǎn)其它相，會(huì)對(duì)化學(xué)勢(shì)有一定的限制。 至于哪些條件來限制化學(xué)勢(shì)，這很復(fù)雜，一般要考慮各種可能的相，得出一些化學(xué)勢(shì)的可能值的范圍或者定出幾個(gè)特定的點(diǎn)。 我即將做半導(dǎo)體ZnO的研究，在這方面看了一些文獻(xiàn)。推薦幾篇，大家參考一下： 1. Choi et al., "First-principles study of native defects and lanthanum impurities in NaTaO3", PHYSICAL REVIEW B 78, 014115 (2008). 2. Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer, "First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides", J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004). [ Last edited by stractor on 2010-10-20 at 23:30 ] |
4樓2010-10-20 23:09:54
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3樓2010-10-20 21:22:16
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aylayl08(金幣+2):謝謝探討 2010-10-22 15:12:40
aylayl08(金幣+2):謝謝探討 2010-10-22 15:12:40
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哦，你不說我都忘了還有Schottky缺陷就是剛好對(duì)應(yīng)第一和第二種情況的缺陷了，謝謝！對(duì)于空位也還仔細(xì)考慮阿 謝謝你的文獻(xiàn)，hgye推薦的文章就是你的第二篇，非常不錯(cuò)！ 所謂特殊的點(diǎn)就是那幾個(gè)交界點(diǎn)是嗎？我以前也計(jì)算過缺陷的形成能，今天再計(jì)算的時(shí)候突然想到這個(gè)問題，對(duì)空位的形成重新考慮了一下 [ Last edited by bingmou on 2010-10-21 at 09:35 ] |
5樓2010-10-20 23:36:37
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