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xiaobai216新蟲 (初入文壇)
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[交流]
【求助】繼續(xù)討論關(guān)于形成能的問題
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以金剛石結(jié)構(gòu)的64原子硅晶胞為例: 在64-atom supercell中構(gòu)建加入一個間隙位的氧原子,計算間隙氧原子的形成能。按照形成能公式 Ef=E[Si64Oi]-sum_nμ, 其中E[Si64Oi]是摻雜后的缺陷體系的能量,n是體系中不同原子的個數(shù),μ是體系中各種原子的化學(xué)勢;則 Ef=E[Si64Oi]-64E[Si]-E[Oi] 1. 這種計算方法正確嗎?是否要考慮電價的影響即形成能公式中加入Q項? 2.如果采用這種計算方式的話,需要考慮原子的化學(xué)勢,則: 1) μ可用單個原子的能量來代替嗎?計算Si的單原子能量能否用一個完整的硅晶胞 計算單點能后除以晶胞中的原子個數(shù)來得到?之前也有討論說建立一個大的空立方格子,在格子中心放一個硅原子做能量計算,我比較了兩種方法,發(fā)現(xiàn)所得的能量有比較大的差值; 2)如果化學(xué)勢可以用單個原子的能量來代替的話,那單個氧原子的能量怎么來計 算?之前有討論說建立大的空格子在中心放一個氧分子,計算的能量后除以2得單個氧原子的能量,對嗎? [ Last edited by xiaobai216 on 2010-10-27 at 12:19 ] |
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如果你計算的是單晶Si中慘雜O原子的能量變化,那么2樓為正解。關(guān)于單個原子的能量,你的第一種計算方法是正確的,即建立大的立方空胞,在空胞中心放一個原子計算其Gamma點的能量即可。后一種方法計算的不是單個原子在真空中的能量,而是在單晶Si中的平均能量,這顯然不是你所需要的。計算慘雜O原子的能量也是一個道理,不能按分子氧進行。 |

鐵桿木蟲 (著名寫手)
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