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[交流]
【求助】弱弱弱問:關于二氧化硅表面的電荷問題
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最近看半導體物理,有個問題請教大家 在MOS器件中,硅表面一般覆蓋一層SiO2,SiO2有多種形式的電荷或能量狀態(tài) SiO2層中的可移動離子子,如帶正電的Na+, K+等。請問,整個SiO2表面是中性的還是只有正電荷?還是說除了可移動的正離子還有固定的負電荷? 我的理解是表面就是正電的,不是對不對。 |
新蟲 (初入文壇)
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