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yexuqing木蟲之王 (文學泰斗)
太陽系系主任
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【原創(chuàng)】應用材料計劃重返硅蝕刻領域，投放新型裝置 已有1人參與
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應用材料計劃重返硅蝕刻領域，投放新型裝置 2010/12/02 00:00 打印 E-mail  （點擊放大）  （點擊放大）  （點擊放大）  （點擊放大）  （點擊放大）  （點擊放大）  （點擊放大） 美國應用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，為了重返硅蝕刻領域，開發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蝕刻領域的市場份額方面，已被競爭企業(yè)美國科林研發(fā)（Lam Research）拉開了差距。作為打破這一局面的殺手锏，AMAT投放了此次的裝置。此次新開發(fā)的裝置與今年夏季發(fā)布的蝕刻腔室組合使用。對于間隙壁工藝的二次圖形曝光技術（DP）用蝕刻裝置等，該公司正在與包括DRAM廠商和NAND閃存廠商等在內(nèi)的5家廠商進行商談，其中2家為新客戶。 關于此次的裝置，AMAT的副總裁兼刻蝕事業(yè)部總經(jīng)理Ellie Yieh自信地表示，“這是一款同時兼顧高生產(chǎn)效率及高性能的裝置”。生產(chǎn)效率方面，裝置的形狀從原來的六角形改成了與該公司“Producer”一樣的四角形，還配備了兩個搬運機器人。各邊均安裝2個蝕刻腔室，并將原來占用六角形一邊的清潔腔室與加載互鎖真空室集成于一體。通過采用這樣的配置，配備的腔室數(shù)量擴大到了原來的2倍達到8個，而且減小了設置面積，同時處理能力還提高到了原來的2倍，最多為180片/小時。據(jù)AMAT介紹，每片晶圓的COO（擁有成本）可最多削減30％。 性能方面，各蝕刻腔室的線寬（CD）在晶圓面內(nèi)的不均勻性為小于1nm，蝕刻深度在晶圓面內(nèi)的不均勻性為小于1％。此外，為了抑制腔室間的不均，還配備了自動校準腔室的功能。利用該功能，該公司可在腔室沒有進行工藝處理時自動校準，從而減小腔室之間的不均勻性。據(jù)AMAT介紹，該產(chǎn)品還注重環(huán)保，消耗能量削減了35％，另外還減少了用水量及二氧化碳排放量（英文發(fā)布資料）。（記者：長廣 恭明） ■日文原文 【セミコン·プレビュー】AMATがSiエッチング分野の巻き返しへ，新型裝置を投入 |
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