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ustbwgs

木蟲 (正式寫手)

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[交流] 【求助】蟲友們對ISIF取值有什么高見呢

蟲友們對ISIF取值有什么高見呢，官方說明上說，ISIF大于4時，離子不持豫，我一直認(rèn)為優(yōu)化就是改變離子的位置，使我們的結(jié)構(gòu)更好，離子都保持不動了，還優(yōu)化什么啊，而且這些值一般怎么取呢

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1樓 2010-12-07 09:20:57

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ustbwgs

木蟲 (正式寫手)

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引用回帖:

Originally posted by gavinliu7390 at 2010-12-07 10:45:17:
優(yōu)化分兩種，一種是優(yōu)化離子位置，以保證每個離子的受力趨于0. 二是優(yōu)化晶格基矢，以使得三個主軸的stress相等，趨于一個值，而非對角元的stress趨于0，沒有剪切力。

ISIF大于4時，說明上說得是離子不持豫，
如果改變基矢或者優(yōu)化離子位置都會改變你原胞中原子的位置啊，
我一直認(rèn)為：：：如果原胞中所有的原子的位置確定的話，元胞就應(yīng)該固定下來了吧。還優(yōu)化什么啊。

優(yōu)化基矢是什么意思，改變夾角嗎？？？那樣的話也可以通過改變原子位置達(dá)到同樣的效果啊。

而且你說的這兩種應(yīng)該是優(yōu)化時同時用到了吧，不可能是只在一個優(yōu)化過程中只用一種方法吧，因?yàn)槲覀兊慕Y(jié)構(gòu)有可能基矢有一點(diǎn)問題，而離子位置的話應(yīng)該都有問題。

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5樓2010-12-07 14:01:27

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first_yg

銀蟲 (小有名氣)

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★ ★
ellsaking(金幣+2):謝謝詳細(xì)說明，歡迎常來~ 2010-12-07 10:05:28

看來新手的問題都差不多呵，這幾天看了你的幾個帖子，都是我也曾經(jīng)或正在疑惑的問題。
不過我的ISIF最終只能用2了，因?yàn)槲宜愕氖┍砻�，看過以前侯博士一個回帖，像這樣的低維表面不適合將Z方向體積也優(yōu)化，會導(dǎo)致真空層減少很多。我試了一下3，確實(shí)如此。
但是文獻(xiàn)中提到當(dāng)分子原子吸附于石墨烯表面，濃度很大時，石墨烯晶格會有很大變化。我一度很困惑，那么到底我該怎么辦。
最近看了幾篇文章，發(fā)現(xiàn)是將整個吸附體系作為晶格常數(shù)優(yōu)化的對象，而不是單純依靠ISIF來計(jì)算。覺得這樣的方法也不錯，就是有些耗時。
啰嗦了這么多，是把最近的心得說出來，不知道對你有沒有用。呵呵。

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3樓2010-12-07 09:58:08

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gavinliu7390

木蟲 (著名寫手)

★ ★ ★
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
ellsaking(金幣+2):謝謝指點(diǎn)~ 2010-12-07 10:54:44

優(yōu)化分兩種，一種是優(yōu)化離子位置，以保證每個離子的受力趨于0. 二是優(yōu)化晶格基矢，以使得三個主軸的stress相等，趨于一個值，而非對角元的stress趨于0，沒有剪切力。

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4樓2010-12-07 10:45:17

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ustbwgs

木蟲 (正式寫手)

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引用回帖:

Originally posted by first_yg at 2010-12-07 09:58:08:
看來新手的問題都差不多呵，這幾天看了你的幾個帖子，都是我也曾經(jīng)或正在疑惑的問題。
不過我的ISIF最終只能用2了，因?yàn)槲宜愕氖┍砻妫催^以前侯博士一個回帖，像這樣的低維表面不適合將Z方向體積也優(yōu)化，會 ...

你說得這句話是什么意思呢？？？
”發(fā)現(xiàn)是將整個吸附體系作為晶格常數(shù)優(yōu)化的對象，而不是單純依靠ISIF來計(jì)算。覺得這樣的方法也不錯，就是有些耗時�！�

是不是把體系選得大一點(diǎn)，然后還是用ISIF=2呢？？？？

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6樓2010-12-07 14:06:52

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