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【求助】蟲友們對ISIF取值有什么高見呢
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| 蟲友們對ISIF取值有什么高見呢,官方說明上說,ISIF大于4時,離子不持豫,我一直認(rèn)為優(yōu)化就是改變離子的位置,使我們的結(jié)構(gòu)更好,離子都保持不動了,還優(yōu)化什么啊,而且這些值一般怎么取呢 |
VASP |
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看來新手的問題都差不多呵,這幾天看了你的幾個帖子,都是我也曾經(jīng)或正在疑惑的問題。 不過我的ISIF最終只能用2了,因?yàn)槲宜愕氖┍砻,看過以前侯博士一個回帖,像這樣的低維表面不適合將Z方向體積也優(yōu)化,會導(dǎo)致真空層減少很多。我試了一下3,確實(shí)如此。 但是文獻(xiàn)中提到當(dāng)分子原子吸附于石墨烯表面,濃度很大時,石墨烯晶格會有很大變化。我一度很困惑,那么到底我該怎么辦。 最近看了幾篇文章,發(fā)現(xiàn)是將整個吸附體系作為晶格常數(shù)優(yōu)化的對象,而不是單純依靠ISIF來計(jì)算。覺得這樣的方法也不錯,就是有些耗時。 啰嗦了這么多,是把最近的心得說出來,不知道對你有沒有用。呵呵。 |
木蟲 (著名寫手)
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ISIF大于4時,說明上說得是離子不持豫, 如果改變基矢或者優(yōu)化離子位置都會改變你原胞中原子的位置啊, 我一直認(rèn)為:::如果原胞中所有的原子的位置確定的話,元胞就應(yīng)該固定下來了吧。還優(yōu)化什么啊。 優(yōu)化基矢是什么意思,改變夾角嗎???那樣的話也可以通過改變原子位置達(dá)到同樣的效果啊。 而且你說的這兩種應(yīng)該是優(yōu)化時同時用到了吧,不可能是只在一個優(yōu)化過程中只用一種方法吧,因?yàn)槲覀兊慕Y(jié)構(gòu)有可能基矢有一點(diǎn)問題,而離子位置的話應(yīng)該都有問題。 |
金蟲 (著名寫手)
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非常感謝您的解釋,對于下面的情況是你說的這樣嗎??? 我們知道在構(gòu)造POSCAR時,可以用實(shí)際坐標(biāo)或分?jǐn)?shù)坐標(biāo)兩種方式, 由于我計(jì)算的體系比較大,300個原子左右,所以我的坐標(biāo)是實(shí)際坐標(biāo)。那這兒沒有D坐標(biāo),怎么優(yōu)化呢?不過我發(fā)現(xiàn)每次優(yōu)化完之后出來的CONTCAR都是分?jǐn)?shù)坐標(biāo),是不是運(yùn)行開始之后,VASP先把我的實(shí)坐標(biāo)轉(zhuǎn)化成分?jǐn)?shù)坐標(biāo),然后再按你說的那種方式優(yōu)化呢?? |
金蟲 (著名寫手)
木蟲 (著名寫手)
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