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【討論】哪位知道為什么FCC,BCC的枝晶的生長方向都是100?? 已有7人參與
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| 書上寫for cubic crystal是<100>,HCP是<1-100>,網(wǎng)上搜了搜,也沒有確切的解釋。 |
基礎(chǔ)知識 |
新蟲 (初入文壇)
專家顧問 (知名作家)
材料人
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專家經(jīng)驗: +552 |

銀蟲 (小有名氣)
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我也考慮過這個問題。我目前的見解如下: 支晶沿<100>方向生長,其實質(zhì)就是金屬原子在{100}晶面上的持續(xù)不斷的堆垛。 而{100}晶面的原子密排程度在fcc和bcc兩種立方晶系中均在{111}{110}兩個晶面之間。 我們拿fcc為例,{111}在三個面中為原子密度最高的面,表面能最低,在凝固的過程中最容易作為表面。我們設(shè)想一種理想狀態(tài),一個單晶的表面完全由{111}晶面組成,那么該單晶的最小晶體即為由(111)(11-1)(1-11)(1-1-1)(-111)(-11-1)(-1-11)(-1-1-1)這8個晶面組成的八面體。這個8面體由8個面,12個邊和6個頂點組成。我們將分析該理想8面體在生長的時候最容易沿那個方向生長。 8個晶面均為密排面,均屬于{111}晶面系,原子如果要在他的上面堆垛,生長方向為(111),密排面上原子的堆垛是困難的,因為密排面之間的距離是比其他晶面之間的距離要大,單個原子落在密排面上穩(wěn)定進(jìn)入晶格,系統(tǒng)增加的表面能較高,一般情況下是一層原子整個落在密排面上,形成臺階,液體原子再一個一個填滿臺階,這樣生長是非常慢的。所以直徑不會優(yōu)先在(111)方向上生長。 12個邊是<110>,晶體沿次12個邊長大,即是原子在{110}晶面上的堆垛,生長方向為<110>。{110}是fcc排列最稀疏的面,也就是說凝固的過程中,原子最容易降落在該面上與晶體穩(wěn)定結(jié)合,該面也應(yīng)該是生長最快的面。但是晶體在生長的過程中,面與面之間是相互限制的。比如在剛才我們想象的理想8面體中,試想在<110>邊上向外增加一層原子,該邊上增加的這一層原子將立即成為密排面{111}上可以生長的臺階,于是密排面{111}也會立刻增加一層,這樣,露在外面的始終是12個邊<110>,沿生長方向<110>的生長實際上導(dǎo)致了整個晶粒的長大。 6個頂點的坐標(biāo)分別是<100><010><001><-100><0-10><00-1>,晶體沿這六個頂點生長的方向,即為<100>,沿該方向生長意味著原子在{100}晶面上的堆垛。 |
銀蟲 (小有名氣)
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