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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 微米和納米 » 微納加工 » 【請教】微納加工中掩膜與模式請教
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[交流]
【請教】微納加工中掩膜與模式請教
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對于微納米加工，小弟有一點不明白，在很多的加工（RIE，F(xiàn)IB ，ICP等等）都是采用掩膜曝光的方式，其中critical dimension都是由于掩膜來決定的，那么上面的模式中FIB，聚焦離子束聚焦下來又有什么用途��？個人覺得FIB 與ICP的電極應該是很小的，我老是在兩種感覺中判斷不出來對錯，一個是critical dimension是由mask曝光后的掩膜決定的，二是critical dimension是直接由小型的探頭，尤其是FIB等聚焦離子束等直接決定的，但是要是這樣其效率就會很低。 我這里的critical dimension可以理解是最小的線寬，比如說是線的寬度，關鍵尺寸吧。 請教各位大牛不吝指教。謝謝。 |
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小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
xiaohunhun(金幣+5):謝謝高手指教，受益很多。 2010-12-13 08:46:07
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
xiaohunhun(金幣+5):謝謝高手指教，受益很多。 2010-12-13 08:46:07
 為什么沙發(fā)都留給我了呢，我糾結啊不知道是各位大牛不屑于回答呢還是都在忙？ 首先，肯定一下LZ對于CD的理解，兩個理解都可以說對。不過一般來說，critical dimension是特征尺寸的意思，是指器件最小的結構的平面上某一維度上的尺寸。 一般是由掩膜版即mask決定的（LZ的第一個理解），當然像FIB和EBL這種無掩膜技術制備的微納米結構其CD是由設計以及工藝決定的（第二個理解）。 另一方面，說mask的CD決定器件的CD又是不對的，因為現(xiàn)代的半導體FAB里采用投影式光刻，一般會用5X的浸潤式透鏡，所以器件的CD比掩膜版的CD小5X。而且目前的45納米工藝中除了投影式浸潤光刻還采用雙曝光（Double exposure or double patterning）技術這時CD更不是光刻板的CD。簡單解釋一下Double exposur(還是英文精準，翻譯一般很難達到“信、達、雅”)，即193納米光源可以制作90納米的結構，然而，當對芯片進行45納米位移的套刻后，會產(chǎn)生一個最厚的臺階，而且其只有45納米寬。如果不好理解，可以在紙上畫一畫，先畫一個代表90納米寬的線條，然后再寬的方向上移動45納米再畫一個線條，這樣重疊起來的部分不是45納米嗎？這個解決辦法，使得人們不用在更短波長的光刻機系統(tǒng)上費多大功夫（要知道研究一個在更短波長下工作的光刻機的投入是多么的驚人�。�，所以應該說這種解決方案是非常非常的amazing！ 接著，在這里糾正一下LZ的一個認識上的錯誤。就是“RIE，F(xiàn)IB ，ICP等等都是采用掩膜曝光的方式”這句話，首先應該說語法和理解上都是錯誤的。RIE和ICP在原理上是老子和兒子的關系，長的都一樣只是一代更比一代強。FIB和他們是表親，有一定的關系但不是很像。 呵呵，扯遠了！其實RIE和ICP是利用等離子體與材料反應來刻蝕材料，當然如果要產(chǎn)生一定的圖案就需要有選擇的刻蝕一部分保留一部分，這樣就用了掩膜MASK。但是這里的MASK和光刻的MASK不是一個東西，概念上相通（所以老外都叫MASK，中國人應該說掩膜和掩膜板，注意這里有“板”這么個一字之差啊）。至于FIB，前面已經(jīng)提到過是一種無掩膜工藝。它是利用電磁透鏡對離子化的鎵或者氦等元素的離子進行聚焦，這種高能束能夠?qū)Σ牧袭a(chǎn)生物理轟擊達到刻蝕作用。這樣表親之間的差別就來了，首先FIB是物理刻蝕而RIE和ICP更多的是利用化學反應使等離子體化的元素刻與被蝕材料發(fā)生反應，且產(chǎn)生易揮發(fā)的產(chǎn)物而達到刻蝕的作用。第二點不同是，F(xiàn)IB是順序（sequence processing）的加工，而RIE和ICP是平行（parallel processing）進行的。 要說的太多了，一言難盡^..^ 改天在說吧！  |
2樓2010-12-13 04:22:45
3樓2010-12-13 08:59:33
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