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[交流]
【請教】微納加工中掩膜與模式請教
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對于微納米加工,小弟有一點不明白,在很多的加工(RIE,F(xiàn)IB ,ICP等等)都是采用掩膜曝光的方式,其中critical dimension都是由于掩膜來決定的,那么上面的模式中FIB,聚焦離子束聚焦下來又有什么用途?個人覺得FIB 與ICP的電極應(yīng)該是很小的,我老是在兩種感覺中判斷不出來對錯,一個是critical dimension是由mask曝光后的掩膜決定的,二是critical dimension是直接由小型的探頭,尤其是FIB等聚焦離子束等直接決定的,但是要是這樣其效率就會很低。 我這里的critical dimension可以理解是最小的線寬,比如說是線的寬度,關(guān)鍵尺寸吧。 請教各位大牛不吝指教。謝謝。 |
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為什么沙發(fā)都留給我了呢,我糾結(jié)啊不知道是各位大牛不屑于回答呢還是都在忙? 首先,肯定一下LZ對于CD的理解,兩個理解都可以說對。不過一般來說,critical dimension是特征尺寸的意思,是指器件最小的結(jié)構(gòu)的平面上某一維度上的尺寸。 一般是由掩膜版即mask決定的(LZ的第一個理解),當然像FIB和EBL這種無掩膜技術(shù)制備的微納米結(jié)構(gòu)其CD是由設(shè)計以及工藝決定的(第二個理解)。 另一方面,說mask的CD決定器件的CD又是不對的,因為現(xiàn)代的半導體FAB里采用投影式光刻,一般會用5X的浸潤式透鏡,所以器件的CD比掩膜版的CD小5X。而且目前的45納米工藝中除了投影式浸潤光刻還采用雙曝光(Double exposure or double patterning)技術(shù)這時CD更不是光刻板的CD。簡單解釋一下Double exposur(還是英文精準,翻譯一般很難達到“信、達、雅”),即193納米光源可以制作90納米的結(jié)構(gòu),然而,當對芯片進行45納米位移的套刻后,會產(chǎn)生一個最厚的臺階,而且其只有45納米寬。如果不好理解,可以在紙上畫一畫,先畫一個代表90納米寬的線條,然后再寬的方向上移動45納米再畫一個線條,這樣重疊起來的部分不是45納米嗎?這個解決辦法,使得人們不用在更短波長的光刻機系統(tǒng)上費多大功夫(要知道研究一個在更短波長下工作的光刻機的投入是多么的驚人!),所以應(yīng)該說這種解決方案是非常非常的amazing! 接著,在這里糾正一下LZ的一個認識上的錯誤。就是“RIE,F(xiàn)IB ,ICP等等都是采用掩膜曝光的方式”這句話,首先應(yīng)該說語法和理解上都是錯誤的。RIE和ICP在原理上是老子和兒子的關(guān)系,長的都一樣只是一代更比一代強。FIB和他們是表親,有一定的關(guān)系但不是很像。 呵呵,扯遠了!其實RIE和ICP是利用等離子體與材料反應(yīng)來刻蝕材料,當然如果要產(chǎn)生一定的圖案就需要有選擇的刻蝕一部分保留一部分,這樣就用了掩膜MASK。但是這里的MASK和光刻的MASK不是一個東西,概念上相通(所以老外都叫MASK,中國人應(yīng)該說掩膜和掩膜板,注意這里有“板”這么個一字之差。V劣贔IB,前面已經(jīng)提到過是一種無掩膜工藝。它是利用電磁透鏡對離子化的鎵或者氦等元素的離子進行聚焦,這種高能束能夠?qū)Σ牧袭a(chǎn)生物理轟擊達到刻蝕作用。這樣表親之間的差別就來了,首先FIB是物理刻蝕而RIE和ICP更多的是利用化學反應(yīng)使等離子體化的元素刻與被蝕材料發(fā)生反應(yīng),且產(chǎn)生易揮發(fā)的產(chǎn)物而達到刻蝕的作用。第二點不同是,F(xiàn)IB是順序(sequence processing)的加工,而RIE和ICP是平行(parallel processing)進行的。 要說的太多了,一言難盡^..^ 改天在說吧! ![]() ![]() |
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