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cefele鐵桿木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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[交流]
【求助】一個(gè)沒(méi)想清楚的問(wèn)題—納米粒子和量子點(diǎn)的區(qū)別
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我不太明白,納米粒子和量子點(diǎn)的區(qū)別是什么? 如果僅僅是尺度問(wèn)題,那么,用電子束刻蝕一層薄的半導(dǎo)體,由于電子束刻蝕已經(jīng)達(dá)到2nm精度,那么理論上可以得到想要的任意形狀量子點(diǎn)及排列。而我看的資料卻說(shuō)人工制備半導(dǎo)體量子點(diǎn)還是一件困難的事,如MBE生長(zhǎng)量子點(diǎn)需要考慮晶格匹配的問(wèn)題。所以,是否量子點(diǎn)還要有好的晶體周期排列。而納米粒子僅僅對(duì)尺度有要求,對(duì)原子排列無(wú)要求,只要能結(jié)合在一起就行? 有蟲(chóng)友專(zhuān)家能幫我解開(kāi)這個(gè)問(wèn)題嗎? |
納米粒子與相界面 | 學(xué)術(shù)專(zhuān)業(yè)知識(shí) | 鈉米材料 | nanomaterial |
氧化鋅 | 納米材料 |
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至尊木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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應(yīng)變自組裝量子點(diǎn)本質(zhì)上來(lái)說(shuō)是一個(gè)異質(zhì)結(jié)構(gòu),理想的異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的界面是陡變的,界限分明,異質(zhì)界面之間甚至沒(méi)有原子級(jí)別的互混或擴(kuò)散。即使是利用MBE這樣的制備方式其實(shí)還是很難達(dá)到這樣的“理想”的。最近就有一篇PRL上的文章專(zhuān)門(mén)分析基底材料和量子點(diǎn)內(nèi)部原子擴(kuò)散程度的文章。 在絕緣體或者空氣中的話首先晶格就不是連續(xù)的,這其實(shí)是兩種物質(zhì)結(jié)構(gòu),不是異質(zhì)結(jié)構(gòu),恐怕無(wú)從談及能帶的限制了吧。 |
至尊木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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納米粒子僅僅是粒子體積大小上在納米級(jí)。 而量子點(diǎn)除了體積是納米級(jí)別外,關(guān)鍵是體現(xiàn)“量子”效應(yīng),以MBE生長(zhǎng)GaAs/InAs/GaAs量子點(diǎn)為例,InAs的能帶是小于GaAs的,這樣電子就被限制在這樣一個(gè)零維空間里(量子阱是兩維無(wú)限深勢(shì)井的),就是所謂的“人工原子”。也就是說(shuō),做半導(dǎo)體量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵是要用寬禁帶的半導(dǎo)體材料完美的包裹住窄禁帶的量子點(diǎn)。 單單利用刻蝕是無(wú)法形成量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的。用MBE生長(zhǎng)量子點(diǎn)時(shí),一般會(huì)在最后表面上再生長(zhǎng)一層量子點(diǎn),這一層僅僅是用AFM來(lái)觀察一下形貌。想得到量子點(diǎn)的PL還必須是中間被寬禁帶材料夾著的那些量子點(diǎn)。 S-K模式長(zhǎng)出的量子點(diǎn)是隨機(jī)的,MBE做量子點(diǎn)難點(diǎn)其實(shí)是無(wú)法控制量子點(diǎn)的密度和大小,不是長(zhǎng)出量子點(diǎn)本身。 |
至尊木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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