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【求助】咨詢非晶硅薄膜電池的制作工藝、測試等問題
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計劃在帶有ITO電極的玻璃片上用PECVD依次沉積P型（10nm）、I型（280nm）和N型（20nm）的非晶硅薄膜形成PIN二極管結(jié)構(gòu)，然后在N型薄膜上表面濺射Al膜作為上電極。 工藝步驟比較簡單，但我從來沒有做過，只是從文獻中了解了一些。有很多細節(jié)問題不是特別懂，特來向大家求助： 1. ITO和P型非晶硅，以及N型非晶硅和Al之間的界面上要形成非常好的歐姆接觸電極，需要高濃度摻雜。而為了得到良好的整流特性，PIN結(jié)處的P型、N型非晶硅的摻雜濃度可能不需要太高。所以P型（10nm）、N型（20nm）非晶硅薄膜的摻雜濃度需要非常好的控制。請問P型、N型非晶硅的摻雜濃度該控制在什么量級？ 2. 摻雜濃度該如何測量？書上講一般的摻雜濃度（比如>1e18）都可以用四探針法測量，請問對應(yīng)的儀器名稱叫什么？ 謝謝先！ |
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2樓2011-02-25 13:10:36
★ ★ ★ ★
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
lpszk(金幣+3): 謝謝回帖 2011-02-26 04:37:04
ylkitty(金幣+5): 非常感謝您的建議！我就按照這兩本書好好學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)！謝謝謝謝！ 2011-02-26 10:58:28
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
lpszk(金幣+3): 謝謝回帖 2011-02-26 04:37:04
ylkitty(金幣+5): 非常感謝您的建議！我就按照這兩本書好好學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)！謝謝謝謝！ 2011-02-26 10:58:28
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ITO并不是理想的非晶硅太陽電池的前電極選擇，其中的銦離子會很快擴散到硅薄膜中，導(dǎo)致結(jié)變壞。通常都是用ITO做最后一道電極。 SnO2和ZnO是前電極的理想選擇。 你到底要的是整流還是歐姆接觸？這兩者是不同的概念，不能同一而論。 四探針只是測量材料的電導(dǎo)率，并不能告訴你摻雜濃度是多少，最接近準確的摻雜濃度測量是SIMS。一般也不需要做這個昂貴的測試，一般暗電導(dǎo)率達到要求就認為摻雜濃度足夠了。 你確實知識很空白，你的導(dǎo)師呢？怎么不指導(dǎo)你先多讀點文獻資料，多打一下理論知識再動手實驗��？ 理論書籍很多，不建議你看很多二道販子的書籍，都是人云亦云，錯了都不知道�？唇�(jīng)典書籍， street寫的半導(dǎo)體非晶硅書籍是最經(jīng)典的， 還有arun madan寫的《the physics and applications of amorphous semiconductors》這本書是實驗理論指導(dǎo)書籍，里面具體從實驗理論講述了非晶硅電池材料和器件，非常有用。 |
3樓2011-02-26 03:24:07
4樓2011-02-26 11:04:22
5樓2011-02-26 11:08:23
6樓2011-02-26 12:13:18
7樓2011-02-27 09:17:10
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