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ylkitty金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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[交流]
【求助】咨詢(xún)非晶硅薄膜電池的制作工藝、測(cè)試等問(wèn)題
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計(jì)劃在帶有ITO電極的玻璃片上用PECVD依次沉積P型(10nm)、I型(280nm)和N型(20nm)的非晶硅薄膜形成PIN二極管結(jié)構(gòu),然后在N型薄膜上表面濺射Al膜作為上電極。 工藝步驟比較簡(jiǎn)單,但我從來(lái)沒(méi)有做過(guò),只是從文獻(xiàn)中了解了一些。有很多細(xì)節(jié)問(wèn)題不是特別懂,特來(lái)向大家求助: 1. ITO和P型非晶硅,以及N型非晶硅和Al之間的界面上要形成非常好的歐姆接觸電極,需要高濃度摻雜。而為了得到良好的整流特性,PIN結(jié)處的P型、N型非晶硅的摻雜濃度可能不需要太高。所以P型(10nm)、N型(20nm)非晶硅薄膜的摻雜濃度需要非常好的控制。請(qǐng)問(wèn)P型、N型非晶硅的摻雜濃度該控制在什么量級(jí)? 2. 摻雜濃度該如何測(cè)量?書(shū)上講一般的摻雜濃度(比如>1e18)都可以用四探針?lè)y(cè)量,請(qǐng)問(wèn)對(duì)應(yīng)的儀器名稱(chēng)叫什么? 謝謝先! |
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金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
鐵桿木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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ITO并不是理想的非晶硅太陽(yáng)電池的前電極選擇,其中的銦離子會(huì)很快擴(kuò)散到硅薄膜中,導(dǎo)致結(jié)變壞。通常都是用ITO做最后一道電極。 SnO2和ZnO是前電極的理想選擇。 你到底要的是整流還是歐姆接觸?這兩者是不同的概念,不能同一而論。 四探針只是測(cè)量材料的電導(dǎo)率,并不能告訴你摻雜濃度是多少,最接近準(zhǔn)確的摻雜濃度測(cè)量是SIMS。一般也不需要做這個(gè)昂貴的測(cè)試,一般暗電導(dǎo)率達(dá)到要求就認(rèn)為摻雜濃度足夠了。 你確實(shí)知識(shí)很空白,你的導(dǎo)師呢?怎么不指導(dǎo)你先多讀點(diǎn)文獻(xiàn)資料,多打一下理論知識(shí)再動(dòng)手實(shí)驗(yàn)。 理論書(shū)籍很多,不建議你看很多二道販子的書(shū)籍,都是人云亦云,錯(cuò)了都不知道。看經(jīng)典書(shū)籍, street寫(xiě)的半導(dǎo)體非晶硅書(shū)籍是最經(jīng)典的, 還有arun madan寫(xiě)的《the physics and applications of amorphous semiconductors》這本書(shū)是實(shí)驗(yàn)理論指導(dǎo)書(shū)籍,里面具體從實(shí)驗(yàn)理論講述了非晶硅電池材料和器件,非常有用。 |
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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