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ylkitty金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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[交流]
【求助】請(qǐng)問(wèn)a-Si:H薄膜中H的原子百分比如何測(cè)量?
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H含量在a-Si:H薄膜中有重要作用,其含量不能太高也不能太小,10 at %貌似是最佳的,怎樣測(cè)量它的原子百分比呢? 謝謝! |
非晶硅 |
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鐵桿木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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氫原子含量很多緊密測(cè)試設(shè)備測(cè)試不了,在于氫原子是1價(jià)原子而且質(zhì)量太輕,測(cè)試設(shè)備達(dá)不到緊密測(cè)試要求,比如SIMS,XPS等等。 對(duì)于非晶硅薄膜中的氫含量測(cè)量,通用方法是用紅外譜測(cè)試。在非晶硅薄膜中氫個(gè)硅原子結(jié)合有多種方式,通過(guò)計(jì)算紅外譜中的特定峰,可以計(jì)算出氫含量的大概數(shù)值。 請(qǐng)參考street的非晶硅書(shū),里面有描述計(jì)算方式。 用純硅烷通過(guò)PECVD方法制備非晶硅薄膜,硅烷分解形成非晶硅薄膜,其中也是含有氫原子的,含量的高低取決與制備條件。 |
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金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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目前,我打算測(cè)下紅外透射譜。 如果能夠測(cè)得630cm-1和2000cm-1兩處有較深的谷值,而800-900cm-1處的谷值被抑制,我們就認(rèn)為這樣的非晶硅薄膜中SiH占主要成分,而SiH2和SiH3不多。這樣應(yīng)該可以認(rèn)為是長(zhǎng)得不錯(cuò)的非晶硅薄膜了。 今天犯了個(gè)低級(jí)錯(cuò)誤:為了降低調(diào)工藝的成本,我們直接在玻璃片上長(zhǎng)非晶硅,結(jié)果測(cè)紅外透射譜的時(shí)候,入射光都被玻璃吸收完了 ![]() 接下來(lái),我們打算在單晶硅片上長(zhǎng)非晶硅薄膜,然后拿去測(cè)紅外光譜,希望能夠得到我們預(yù)想的結(jié)果。 |
銀蟲(chóng) (小有名氣)
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我們現(xiàn)在用的CVD配方,跟Street書(shū)上一致,還參考了師兄以前在國(guó)外的配方(同樣型號(hào)的CVD設(shè)備),所以膜的質(zhì)量應(yīng)該可以從紅外光譜中反映出來(lái)。 厚度我們還沒(méi)有測(cè)量過(guò),今天打算長(zhǎng)3片后,測(cè)量紅外和臺(tái)階儀。從文獻(xiàn)中估計(jì),我們的長(zhǎng)膜速度差不多在10nm/min,長(zhǎng)30min看下能不能出來(lái)明顯的紅外特征。如果沒(méi)有,就延長(zhǎng)長(zhǎng)膜時(shí)間。 具體的電學(xué)性質(zhì)(如霍爾遷移率、載流子濃度、電導(dǎo)率等)貌似只能用霍爾測(cè)試儀測(cè)量(我們現(xiàn)在長(zhǎng)的是本征膜,霍爾測(cè)試應(yīng)該可以測(cè)出來(lái))。光學(xué)性質(zhì)(如介電常數(shù)、吸收系數(shù)等)打算用橢偏儀測(cè)量。但這兩個(gè)測(cè)試都特別貴,所以我們把它們安排在最后,等長(zhǎng)膜工藝調(diào)得穩(wěn)定后再測(cè)量。 對(duì)了,非晶硅薄膜缺陷如何測(cè)量呢?這些缺陷能不能通過(guò)電學(xué)參數(shù)反映出來(lái)呢? 非常感謝! |
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