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[交流]
【求助】請問a-Si:H薄膜中H的原子百分比如何測量？
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H含量在a-Si:H薄膜中有重要作用，其含量不能太高也不能太小，10 at %貌似是最佳的，怎樣測量它的原子百分比呢？ 謝謝！ |
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ylkitty(金幣+5): 非常感謝！向您學習！ 2011-03-04 08:26:47
GrasaVampiro(金幣+50): 最近回了不少帖子，一次性給你加分 2011-03-05 15:48:21
ylkitty(金幣+5): 非常感謝！向您學習！ 2011-03-04 08:26:47
GrasaVampiro(金幣+50): 最近回了不少帖子，一次性給你加分 2011-03-05 15:48:21
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氫原子含量很多緊密測試設備測試不了，在于氫原子是1價原子而且質(zhì)量太輕，測試設備達不到緊密測試要求，比如SIMS，XPS等等。 對于非晶硅薄膜中的氫含量測量，通用方法是用紅外譜測試。在非晶硅薄膜中氫個硅原子結合有多種方式，通過計算紅外譜中的特定峰，可以計算出氫含量的大概數(shù)值。 請參考street的非晶硅書，里面有描述計算方式。 用純硅烷通過PECVD方法制備非晶硅薄膜，硅烷分解形成非晶硅薄膜，其中也是含有氫原子的，含量的高低取決與制備條件。 |
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coldcity13樓2011-03-04 01:34:18
2樓2011-03-03 13:34:29
3樓2011-03-03 13:46:55
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20樓2011-03-10 00:38:37
21樓2011-03-10 08:47:53
夕陽西下: 缺陷一般通過光學參數(shù)來反映 2011-03-11 13:35:56
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我們現(xiàn)在用的CVD配方，跟Street書上一致，還參考了師兄以前在國外的配方（同樣型號的CVD設備），所以膜的質(zhì)量應該可以從紅外光譜中反映出來。 厚度我們還沒有測量過，今天打算長3片后，測量紅外和臺階儀。從文獻中估計，我們的長膜速度差不多在10nm/min，長30min看下能不能出來明顯的紅外特征。如果沒有，就延長長膜時間。 具體的電學性質(zhì)（如霍爾遷移率、載流子濃度、電導率等）貌似只能用霍爾測試儀測量（我們現(xiàn)在長的是本征膜，霍爾測試應該可以測出來）。光學性質(zhì)（如介電常數(shù)、吸收系數(shù)等）打算用橢偏儀測量。但這兩個測試都特別貴，所以我們把它們安排在最后，等長膜工藝調(diào)得穩(wěn)定后再測量。 對了，非晶硅薄膜缺陷如何測量呢？這些缺陷能不能通過電學參數(shù)反映出來呢？ 非常感謝！ |
22樓2011-03-10 08:57:54
23樓2011-03-12 21:55:47
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