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ylkitty金蟲 (正式寫手)
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[交流]
[求助]本征非晶硅薄膜的電學特性表征方法 已有1人參與
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我們制作出了未摻雜的本征非晶硅薄膜,測了紅外光譜,只有630和2000cm-1處有明顯的吸收,表明Si-H鍵的搖擺模式和伸縮模式占主導。這只能定性地分析我們長的非晶硅薄膜的質量還可以。 至于器件制作,需要知道非晶硅薄膜的電學特性。我們在一個1cmX1cm的玻璃片上生長了非晶硅薄膜(<=360nm),并在四個角上做了金電極,可是霍爾測試儀總是測不出來薄膜的半導體參數(shù)。該儀器的靈敏度是10^13cm-3。是不是本征非晶硅薄膜的載流子濃度非常低,以至于霍爾測試儀測不出來?還有一個可能的原因是金屬電極與非晶硅薄膜之間的接觸可能存在較大的接觸電阻,但是對于本征半導體薄膜,這個接觸電阻是無法避免的。 我的問題是: 1. 本征非晶硅薄膜的載流子濃度在多少數(shù)量級?電阻率又在什么量級上?載流子遷移率又在多少量級? 2. 有沒有很好的表征非晶硅薄膜電學特性的方法?如何實施? 3. 有沒有半導體電學參數(shù)檢測方面的直接相關文獻推薦?請推薦。 謝謝先! |
新蟲 (正式寫手)
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