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ylkitty金蟲 (正式寫手)
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[交流]
[求助]本征非晶硅薄膜的電學(xué)特性表征方法 已有1人參與
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我們制作出了未摻雜的本征非晶硅薄膜,測(cè)了紅外光譜,只有630和2000cm-1處有明顯的吸收,表明Si-H鍵的搖擺模式和伸縮模式占主導(dǎo)。這只能定性地分析我們長(zhǎng)的非晶硅薄膜的質(zhì)量還可以。 至于器件制作,需要知道非晶硅薄膜的電學(xué)特性。我們?cè)谝粋(gè)1cmX1cm的玻璃片上生長(zhǎng)了非晶硅薄膜(<=360nm),并在四個(gè)角上做了金電極,可是霍爾測(cè)試儀總是測(cè)不出來薄膜的半導(dǎo)體參數(shù)。該儀器的靈敏度是10^13cm-3。是不是本征非晶硅薄膜的載流子濃度非常低,以至于霍爾測(cè)試儀測(cè)不出來?還有一個(gè)可能的原因是金屬電極與非晶硅薄膜之間的接觸可能存在較大的接觸電阻,但是對(duì)于本征半導(dǎo)體薄膜,這個(gè)接觸電阻是無法避免的。 我的問題是: 1. 本征非晶硅薄膜的載流子濃度在多少數(shù)量級(jí)?電阻率又在什么量級(jí)上?載流子遷移率又在多少量級(jí)? 2. 有沒有很好的表征非晶硅薄膜電學(xué)特性的方法?如何實(shí)施? 3. 有沒有半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)檢測(cè)方面的直接相關(guān)文獻(xiàn)推薦?請(qǐng)推薦。 謝謝先! |
新蟲 (正式寫手)
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