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liuguan
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[交流]
【請(qǐng)教】n型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體具體區(qū)別? 已有4人參與
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p型半導(dǎo)體:流動(dòng)的空穴密度超過導(dǎo)電的電子密度的非本征半導(dǎo)體 n型半導(dǎo)體:導(dǎo)電的電子密度超過流動(dòng)的空穴密度的非本征半導(dǎo)體。 但是具體的,有沒有人總結(jié)下。。。謝謝 |
N-P型半導(dǎo)體 | 物理小識(shí) |
至尊木蟲 (職業(yè)作家)
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P型半導(dǎo)體也稱為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導(dǎo)電?昭ㄖ饕呻s質(zhì)原子提供,自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。 N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供,空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。 本征半導(dǎo)體 不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下,半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見能帶理論),受到熱激發(fā)后,價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶,價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位,稱為空穴。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì),均能自由移動(dòng),即載流子,它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流,分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴,電子-空穴對(duì)消失,稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射(發(fā)光)或晶格的熱振動(dòng)能量(發(fā)熱)。在一定溫度下,電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí),將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì),載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大,實(shí)際應(yīng)用不多 [ Last edited by 金光閃閃2010 on 2011-4-14 at 13:15 ] |

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