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liuguan
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[交流]
【請教】n型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體具體區(qū)別？ 已有4人參與
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p型半導(dǎo)體：流動的空穴密度超過導(dǎo)電的電子密度的非本征半導(dǎo)體 n型半導(dǎo)體：導(dǎo)電的電子密度超過流動的空穴密度的非本征半導(dǎo)體。 但是具體的，有沒有人總結(jié)下。。。謝謝 |
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 N-P型半導(dǎo)體 | 物理小識 |
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金蟲 (初入文壇)
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4樓2011-04-14 11:22:15
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小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
zhangwj(金幣+3): 不錯！ 2011-04-14 15:29:28
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
zhangwj(金幣+3): 不錯！ 2011-04-14 15:29:28
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P型半導(dǎo)體也稱為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電�？昭ㄖ饕呻s質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。 N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導(dǎo)電。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。 本征半導(dǎo)體 不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實際應(yīng)用不多 [ Last edited by 金光閃閃2010 on 2011-4-14 at 13:15 ] |
2樓2011-04-14 09:57:32
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3樓2011-04-14 09:59:34
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5樓2011-04-14 11:39:19
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