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vasp晶格優(yōu)化時(shí)的對(duì)稱性問(wèn)題 已有1人參與
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在VASP進(jìn)行晶格優(yōu)化的時(shí)候考慮到體系的對(duì)稱性，這一點(diǎn)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證。在Aantase體系中，使用LDA+U方法，若將原子的位置取到晶格矢量的恰好1/2，1/4，3/4的時(shí)候，為了滿足晶格的對(duì)稱性要求，會(huì)使得晶格體積膨脹很大(ISIF=3)，誤差嚴(yán)重。這個(gè)問(wèn)題詳見http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=3152699&fpage=1。 后來(lái)我在每一個(gè)原子坐標(biāo)之后加入一個(gè)變化（正負(fù)0.0000001），則優(yōu)化的時(shí)候?qū)ΨQ性不會(huì)被考慮（至少不會(huì)考慮得那么多），但是計(jì)算的速度慢了很多，因?yàn)榭紤]對(duì)稱性的時(shí)候只有少數(shù)幾個(gè)坐標(biāo)會(huì)發(fā)生移動(dòng)。 但這是也有一個(gè)小小的疑問(wèn)。優(yōu)化的時(shí)候晶格矢量就不再是正交的了，也就是在CONTCAR中的晶格矢量的那三行中，原來(lái)為零的非對(duì)角元素有了一定的增量。這樣計(jì)算出來(lái)的結(jié)果是可信的么？大家在優(yōu)化的時(shí)候都考慮了對(duì)稱性么？在POSCAR中輸入的原子的坐標(biāo)一般是如何取得的呢，是直接根據(jù)幾何位置將坐標(biāo)算出來(lái)么？對(duì)于1/n這樣的高對(duì)稱點(diǎn)又應(yīng)該如何處理呢（因?yàn)榫拖裆厦嫠f(shuō)的，在某些時(shí)候，考慮了對(duì)稱性會(huì)對(duì)晶格常數(shù)有很大影響）？ |
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2樓2011-05-06 10:17:34
buct2010
金蟲 (正式寫手)
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小木蟲(金幣+0.5):給個(gè)紅包，謝謝回帖
mazuju028(金幣+2): 謝謝交流 2011-05-08 22:28:57
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mazuju028(金幣+2): 謝謝交流 2011-05-08 22:28:57
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我覺得樓主你多慮了。 你優(yōu)化的晶格常數(shù)和文獻(xiàn)差不多的話體積也應(yīng)該差不多的。 你優(yōu)化的時(shí)候晶格矢量就不再是正交的了，這點(diǎn)我覺得不可信。我只有一次把POSCAR原子順序顛倒了，得到的的基矢才變得不正交了（優(yōu)化Rutial SnO2）。 我優(yōu)化的時(shí)候都沒有考慮對(duì)稱性，在POSCAR中輸入的原子的坐標(biāo)是用Material Studio （很有用）導(dǎo)出來(lái)的。 我覺得你讓VASP自己優(yōu)化就好了，沒必要加那么多限制（你在每一個(gè)原子坐標(biāo)之后加入一個(gè)變化（正負(fù)0.0000001））。如果一個(gè)原子是在高對(duì)稱位置上，那么弛豫的時(shí)候它的位置一般都不會(huì)變化的。 |
3樓2011-05-08 13:35:21
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