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aaronfirst銅蟲 (小有名氣)
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[求助]
Si襯底上生長CdS多晶薄膜的XRD分析
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我在Si（100）襯底上做的硫化鎘薄膜，測出來是這樣 其中CdS的峰好像有26.6（002），47.98（103），54.68（004），都是六角形的好像。 Si的峰有69.04（400），33（200），然后還有兩個波包就不知道是怎么回事了。 而且33和69處的峰如果放大看，其實是兩個尖銳的峰緊緊連在一起的 然后我又專門做了個襯底Si的XRD，以便把硅峰挑出來 除了69.16的（400）外，前面又多了兩個寬的峰包，分別是22.48和33.5. 可以看到用硅襯底做XRD的話，以前33左右的Si（200）降低了，只能隱約分出來。 所以開始還以為是CdS，但卡片上找不到CdS的對應峰，而且用公式算過，不是CdS的。并且別的文獻上凡是薄膜33處都是Si（200）的峰。 所以想請教大家?guī)讉�問題： 1. 圖2里，22.48和33.5處兩個矮峰包是怎么回事，大家有測到過沒，有沒有可能是硅片為了摻雜導電而形成的，但好像記得雜質(zhì)要超過15%才能被測到 2. 圖1里33處的（200）為什么單獨測硅片XRD的時候就很矮，甚至被淹沒，在鍍上薄膜之后，又冒出很高。是不是跟結(jié)構(gòu)性消光什么的有關(guān)。Si（100）面測不到，是因為結(jié)構(gòu)性消光，(200)很矮，是不是也是因為這個原因。是不是鍍上CdS薄膜之后，因為表面晶格畸變，使（200）的消光效應減輕了，所以（200）就突出來了。 3. 圖1里33和69處的峰如果放大看，其實是兩個尖銳的峰緊密連在一起的，是因為什么原因 4.更低級的問題，請大家?guī)臀覓呙�。CdS六角結(jié)構(gòu)的（200）和（400），（200）好理解，因為縱軸的1/2處有原子形成的晶面。但我覺得不應該存在（400）這個面啊，因為縱軸的在1/4處沒有原子面。 大家?guī)蛶臀�，萬分感謝啊 |
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2樓2011-05-11 18:52:03
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