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[交流]
請問做CVD用的硅片如何處理，是直接滴量子點還是將硅片用氨基酸處理后滴加量子點？ 已有3人參與
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我在做化學氣相沉積時，遇到了如何處理硅片的問題。 用于做沉積底物的硅片，在滴量子點之前需要用氨基酸處理嗎？ 或者各位有什么高見，或者給予一般的處理方法。非常感謝 |
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2樓2011-05-23 10:54:44
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wandaohzl(金幣+1): 鼓勵交流 2011-05-29 11:12:39
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wandaohzl(金幣+1): 鼓勵交流 2011-05-29 11:12:39
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以下是我們實驗室清洗硅片的標準步驟，洗完之后在上面CVD生長硅線都是可以的，我想你的需要應該也能滿足！ 1.丙酮超聲 5-10min； 2.酒精超聲 5-10min； 3.去離子水超聲 5-10min； 4.水：氨水：雙氧水=10:1:2的溶液中，70℃煮10min； 5.鹽酸：雙氧水：水=1:1:6的溶液中，70℃煮10min； （以上兩步中硅片最好不要重疊） 6.氫氟酸：水=1:18的溶液中，浸泡30s； 7.用去離子水沖洗之后放置于酒精中（不能貯藏太久，還是會臟的），要用時用氮氣吹干。 希望對你有所幫助  PS：氨水好難聞的說~~~  裝氫氟酸溶液的時候要用塑料燒杯，并注意安全（強腐蝕性滴  ）[ Last edited by gl_zju on 2011-5-25 at 21:26 ] |
3樓2011-05-25 21:21:40
堂堂csu
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4樓2011-05-26 08:24:27
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wandaohzl(金幣+1): 鼓勵交流 2011-05-29 11:12:51
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（1）H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過H2O2的強氧化和NH4OH的溶解作用，使有機物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。 （2）H2O2和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。 （3）氫氟酸溶液是用來去除硅片表面的氧化硅層的。 具體你可以去查看一下“半導體硅片RCA清洗技術”~ [ Last edited by gl_zju on 2011-6-1 at 08:46 ] |
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堂堂csu5樓2011-05-26 11:55:04
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6樓2011-05-29 09:54:23
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7樓2011-06-09 19:37:34
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