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[交流]
請(qǐng)問(wèn)做CVD用的硅片如何處理,是直接滴量子點(diǎn)還是將硅片用氨基酸處理后滴加量子點(diǎn)? 已有3人參與
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我在做化學(xué)氣相沉積時(shí),遇到了如何處理硅片的問(wèn)題。 用于做沉積底物的硅片,在滴量子點(diǎn)之前需要用氨基酸處理嗎? 或者各位有什么高見(jiàn),或者給予一般的處理方法。非常感謝 |
木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)

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以下是我們實(shí)驗(yàn)室清洗硅片的標(biāo)準(zhǔn)步驟,洗完之后在上面CVD生長(zhǎng)硅線都是可以的,我想你的需要應(yīng)該也能滿足! 1.丙酮超聲 5-10min; 2.酒精超聲 5-10min; 3.去離子水超聲 5-10min; 4.水:氨水:雙氧水=10:1:2的溶液中,70℃煮10min; 5.鹽酸:雙氧水:水=1:1:6的溶液中,70℃煮10min; (以上兩步中硅片最好不要重疊) 6.氫氟酸:水=1:18的溶液中,浸泡30s; 7.用去離子水沖洗之后放置于酒精中(不能貯藏太久,還是會(huì)臟的),要用時(shí)用氮?dú)獯蹈伞?br /> 希望對(duì)你有所幫助 ![]() PS:氨水好難聞的說(shuō)~~~ ![]() 裝氫氟酸溶液的時(shí)候要用塑料燒杯,并注意安全(強(qiáng)腐蝕性滴 )[ Last edited by gl_zju on 2011-5-25 at 21:26 ] |

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(1)H2O2和NH4OH的堿性溶液,通過(guò)H2O2的強(qiáng)氧化和NH4OH的溶解作用,使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物,隨去離子水的沖洗而被排除。 (2)H2O2和HCL的酸性溶液,它具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性,能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。 (3)氫氟酸溶液是用來(lái)去除硅片表面的氧化硅層的。 具體你可以去查看一下“半導(dǎo)體硅片RCA清洗技術(shù)”~ [ Last edited by gl_zju on 2011-6-1 at 08:46 ] |

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