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oxfordidea

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[求助] 化學(xué)氣相沉積制備CdS納米線(xiàn)難點(diǎn)求助

最近用CVD法在導(dǎo)電玻璃上制備CdS納米線(xiàn)，參考了一篇JPCC的文獻(xiàn)：
1.CdTe Nanorod Arrays on ITO: From Microstructure to Photoelectrical Property，J. Phys. Chem. C 2009, 113, 16951–16953

當(dāng)時(shí)感覺(jué)該方法生長(zhǎng)CdTe納米棒不用催化劑和載氣（氬氣），優(yōu)點(diǎn)比較明顯，所以我選擇了跟這個(gè)文獻(xiàn)很多相近的參數(shù)，只是原料有所不同，我用的是CdS，理論上應(yīng)該一樣能長(zhǎng)出，現(xiàn)在遇到的問(wèn)題是：

1.長(zhǎng)出來(lái)的CdS納米線(xiàn)只有200nm-500nm。

2.現(xiàn)在我把650-750度范圍的溫度基本都做了，感覺(jué)700度左右都能長(zhǎng)出線(xiàn)，但重復(fù)性挺差。

3.原文中居然沒(méi)有告訴具體瓷舟內(nèi)的加藥量是多少，這個(gè)很迷惑，我在試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)加藥量的多少明顯影響產(chǎn)物的形貌，加的多了就成薄膜狀了。

4.原文中的抽真空負(fù)壓也不明確，我們的設(shè)備抽的負(fù)壓在-0.1Mpa，只能抽一個(gè)固定的負(fù)壓值，無(wú)法調(diào)節(jié)，老板不同意升級(jí)設(shè)備了。

5.發(fā)現(xiàn)另外一篇CVD法制備ZnO納米線(xiàn)的文章用了載氣，在附近

請(qǐng)教：這種情況我從哪里入手能把CdS納米線(xiàn)/棒可控長(zhǎng)長(zhǎng)呢？長(zhǎng)長(zhǎng)，可控是兩個(gè)難點(diǎn)，請(qǐng)教各位對(duì)我的實(shí)驗(yàn)有沒(méi)有好的建議，謝謝啦

參考文獻(xiàn)在附件中，請(qǐng)收閱：）[ Last edited by oxfordidea on 2011-6-17 at 18:17 ]

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1樓 2011-06-17 18:15:24

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coraldevil

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【答案】應(yīng)助回帖

oxfordidea(金幣+10): 謝謝，這個(gè)問(wèn)題我也考慮過(guò)，只是我們的設(shè)備只有一個(gè)真空度可以抽沒(méi)法調(diào)節(jié) 2011-06-18 22:37:34

引用回帖:

Originally posted by oxfordidea at 2011-06-17 18:15:24:
最近用CVD法在導(dǎo)電玻璃上制備CdS納米線(xiàn)，參考了一篇JPCC的文獻(xiàn)：
1.CdTe Nanorod Arrays on ITO: From Microstructure to Photoelectrical Property，J. Phys. Chem. C 2009, 113, 16951–16953

當(dāng)時(shí)感覺(jué)該方 ...

你長(zhǎng)的納米線(xiàn)，很多直接長(zhǎng)在一起結(jié)成壁狀或更粗的柱狀之類(lèi)了，說(shuō)明你的蒸發(fā)源的蒸汽壓太高了，他的氣壓1pa，你的一個(gè)大氣壓，這可能是原因之一吧，蒸發(fā)源的多少也對(duì)蒸汽壓會(huì)有影響。猜測(cè)，僅供參考

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2樓2011-06-18 21:57:48