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oxfordidea

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[求助] 化學(xué)氣相沉積制備CdS納米線難點(diǎn)求助

最近用CVD法在導(dǎo)電玻璃上制備CdS納米線，參考了一篇JPCC的文獻(xiàn)：
1.CdTe Nanorod Arrays on ITO: From Microstructure to Photoelectrical Property，J. Phys. Chem. C 2009, 113, 16951–16953

當(dāng)時感覺該方法生長CdTe納米棒不用催化劑和載氣（氬氣），優(yōu)點(diǎn)比較明顯，所以我選擇了跟這個文獻(xiàn)很多相近的參數(shù)，只是原料有所不同，我用的是CdS，理論上應(yīng)該一樣能長出，現(xiàn)在遇到的問題是：

1.長出來的CdS納米線只有200nm-500nm。

2.現(xiàn)在我把650-750度范圍的溫度基本都做了，感覺700度左右都能長出線，但重復(fù)性挺差。

3.原文中居然沒有告訴具體瓷舟內(nèi)的加藥量是多少，這個很迷惑，我在試驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn)加藥量的多少明顯影響產(chǎn)物的形貌，加的多了就成薄膜狀了。

4.原文中的抽真空負(fù)壓也不明確，我們的設(shè)備抽的負(fù)壓在-0.1Mpa，只能抽一個固定的負(fù)壓值，無法調(diào)節(jié)，老板不同意升級設(shè)備了。

5.發(fā)現(xiàn)另外一篇CVD法制備ZnO納米線的文章用了載氣，在附近

請教：這種情況我從哪里入手能把CdS納米線/棒可控長長呢？長長，可控是兩個難點(diǎn)，請教各位對我的實(shí)驗(yàn)有沒有好的建議，謝謝啦

參考文獻(xiàn)在附件中，請收閱：）[ Last edited by oxfordidea on 2011-6-17 at 18:17 ]

回復(fù)此樓

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1樓 2011-06-17 18:15:24

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coraldevil

銅蟲 (初入文壇)

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【答案】應(yīng)助回帖

oxfordidea(金幣+10): 謝謝，這個問題我也考慮過，只是我們的設(shè)備只有一個真空度可以抽沒法調(diào)節(jié) 2011-06-18 22:37:34

引用回帖:

Originally posted by oxfordidea at 2011-06-17 18:15:24:
最近用CVD法在導(dǎo)電玻璃上制備CdS納米線，參考了一篇JPCC的文獻(xiàn)：
1.CdTe Nanorod Arrays on ITO: From Microstructure to Photoelectrical Property，J. Phys. Chem. C 2009, 113, 16951–16953

當(dāng)時感覺該方 ...

你長的納米線，很多直接長在一起結(jié)成壁狀或更粗的柱狀之類了，說明你的蒸發(fā)源的蒸汽壓太高了，他的氣壓1pa，你的一個大氣壓，這可能是原因之一吧，蒸發(fā)源的多少也對蒸汽壓會有影響。猜測，僅供參考

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回復(fù)此樓

2樓2011-06-18 21:57:48