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wuyao118金蟲 (小有名氣)
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[求助]
無機材料類:請教高手一個問題,不勝感激!
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| 請問直接帶隙材料與間接帶隙的材料有什么區(qū)別?間接帶隙的材料對可見光利用效率是否很低?為什么?望高手賜教!不勝感激! |
版主 (職業(yè)作家)
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來自: http://blog.sina.com.cn/s/blog_6a8a6ba40100pvgr.html 直接帶隙半導(dǎo)體材料就是導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和價帶最大值(價帶頂)在k空間中同一位置。電子要躍遷到導(dǎo)帶上產(chǎn)生導(dǎo)電的電子和空穴(形成半滿能帶)只需要吸收能量。 間接帶隙半導(dǎo)體材料導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量。 間接帶隙半導(dǎo)體材料導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和滿帶最大值在k空間中不同位置。電子在k狀態(tài)時的動量是(h/2pi)k,k不同,動量就不同,從一個狀態(tài)到另一個必須改變動量。 材料本身是不會發(fā)光,這是能量守衡決定的.材料吸收外來的能量源(電能/光能均可),使價帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶上,然后通過輻射躍遷,發(fā)出光子.間接帶隙的半導(dǎo)體材料在躍遷時會產(chǎn)生聲子,嚴重影響發(fā)光. 結(jié)構(gòu)和措施很多,但材料必須是直接帶隙半導(dǎo)體材料. 簡單點說,從能帶圖譜可以看出,間接帶隙半導(dǎo)體中的電子在躍遷時K值會發(fā)生變化,這意味著電子躍遷前后在K空間的位置不一樣了,這樣會極大的幾率將能量釋放給晶格,轉(zhuǎn)化為聲子,變成熱能釋放掉。而直接帶隙中的電子躍遷前后只有能量變化,而無位置變化,于是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來。想讓間接帶隙材料發(fā)光,可以采用參雜引入客發(fā)光體,將能量引入客發(fā)光體使其發(fā)光(提高發(fā)光效率) 另一方面,對于間接躍遷型,導(dǎo)帶的電子需要動量與價帶空穴復(fù)合。因此難以產(chǎn)生基于再結(jié)合的發(fā)光。 |
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