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drg1984榮譽(yù)版主 (著名寫(xiě)手)
奮斗
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[交流]
LED芯片和PSS生產(chǎn)需要使用的測(cè)量機(jī)臺(tái)及其對(duì)應(yīng)的測(cè)量項(xiàng)目 已有5人參與
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總結(jié)了一下LED芯片和PSS生產(chǎn)需要使用的測(cè)量機(jī)臺(tái)，以及其對(duì)應(yīng)的測(cè)量項(xiàng)目，請(qǐng)各位指教。 臺(tái)階儀——測(cè)量刻蝕的深度、寬度及其刻蝕均勻性 SEM——評(píng)價(jià)刻蝕形貌、粗糙度、損傷等 AFM——測(cè)量圖形化襯底的形貌，及其圖形的深度、高度、寬度及其角度等信息，同時(shí)可以 測(cè)量刻蝕表面的粗糙度等 AES/XPS——測(cè)量刻蝕表面的成分，評(píng)價(jià)刻蝕對(duì)刻蝕物的損傷 X 射線衍射儀——分析外延片的結(jié)晶完整性、均勻性、層厚、組分、應(yīng)變、缺陷和界面 Raman散射光譜——組分、結(jié)構(gòu)和形貌的分析和測(cè)定參數(shù)測(cè)量和物性研究：如異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中 的聲子和界面性質(zhì)、電子濃度、缺陷雜質(zhì)局域振動(dòng)等結(jié)構(gòu)相和相變研 究：有序無(wú)序結(jié)構(gòu)相變等。 HL霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)——測(cè)試半導(dǎo)體材料及外延層材料電阻系數(shù)，載流子濃度及遷移率 PL（PL Mapping）熒光光譜儀測(cè)量材料的光致發(fā)光特性、對(duì)半導(dǎo) 體Wafer進(jìn)行微區(qū)均勻性測(cè)量和表面分析 電化學(xué)C-V測(cè)試系統(tǒng)——作半導(dǎo)體材料及外延層材料縱向濃度分布測(cè)試 EL測(cè)試系統(tǒng)——測(cè)試VF、亮度、波長(zhǎng)、半波寬等 面電阻測(cè)試儀——測(cè)試LED外延層電阻率 LED襯底材料厚度/ 平坦度測(cè)試儀——測(cè)試藍(lán)寶石襯底厚度/彎曲度/翹曲度/平坦度 LED芯片測(cè)試機(jī)——可測(cè)試VF，IR，VZ，LOP，λ P，λ d，λC,（x,y）, HW,CCT 等各項(xiàng) LED 芯片光電參數(shù) LED芯片/成品老化測(cè)試系統(tǒng)——測(cè)量芯片的可靠性 ITO表面電阻測(cè)試儀——測(cè)試硅晶圓擴(kuò)散層或金屬層的電阻系數(shù)及Sheet的電阻值 |
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7樓2015-03-04 10:30:36
水痕585
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2樓2011-06-20 13:44:03
xueer1212
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3樓2011-10-27 17:47:16
majieyuan
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5樓2012-05-19 12:18:10
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