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greenhaw金蟲 (初入文壇)
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[交流]
蒸發(fā)鍍膜真空度問題討論 已有4人參與
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| 蒸發(fā)鍍膜過程中，真空度一般都在10-2Pa左右，真空度過低可能會(huì)影響蒸發(fā)出來分子能量，降低膜層品質(zhì)，但是真空度升高到10-3Pa，10-4Pa左右時(shí)對(duì)蒸發(fā)鍍膜有什么影響？ |
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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蒸發(fā)鍍膜過程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線運(yùn)動(dòng)，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內(nèi)，當(dāng)氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時(shí)，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線飛行，否則，就會(huì)產(chǎn)生碰撞而改變運(yùn)動(dòng)方向。為此，增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。 蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50 cm。因此，如果要防止蒸發(fā)粒子的大量散射，在真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中，真空鍍膜室的起始真空度必須高于10-2 Pa。 殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長(zhǎng)著的膜層表面。在室溫和10-4 Pa 壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時(shí)間只有2.2 s�？梢�，在蒸發(fā)鍍膜過程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達(dá)基片上的速率大于殘余氣體到達(dá)基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點(diǎn)對(duì)于活性金屬材料基片更為重要，因?yàn)檫@些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。 在10-2 Pa～10-4 Pa 壓力下蒸發(fā)時(shí)，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達(dá)基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。因此需要合理設(shè)計(jì)鍍膜設(shè)備的抽氣系統(tǒng)，保證膜材蒸汽分子到達(dá)基片表面的速率高于殘余氣體分子到達(dá)的速率，以減少殘余氣體分子對(duì)膜層的撞擊和污染，提高膜層的純度。 此外，在10-4 Pa 時(shí)真空室內(nèi)殘余氣體的主要組分為水蒸氣(約占90%以上)，水氣與金屬膜層或蒸發(fā)源均會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氧化物而釋放出氫氣。因此，為了減少殘余氣體中的水分，可以提高真空室內(nèi)的溫度，使水分解，也是提高膜層質(zhì)量的一種有效辦法。 還應(yīng)注意蒸發(fā)源在高溫下的放氣。在蒸發(fā)源通電加熱之前，可先用擋板擋住基片，然后對(duì)膜材加熱去氣。在正式鍍膜開始時(shí)再移開擋板。利用該方法，可有效提高膜層的質(zhì)量。 以上是網(wǎng)上看到的內(nèi)容，希望對(duì)你有幫助，原文地址： 真空蒸發(fā)鍍膜過程中的真空條件 http://www.chvacuum.com/application/film/032884.html |
7樓2013-05-03 10:46:41
cord 
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3樓2011-07-15 19:26:02
greenhaw
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4樓2011-07-16 10:10:18
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