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basanwuyu銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
求助]關(guān)于退火與熱應(yīng)力及位錯(cuò)
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向大家請(qǐng)教兩個(gè)問(wèn)題: 1、晶體硅在生長(zhǎng)完成后,退火時(shí)間越長(zhǎng),熱應(yīng)力釋放會(huì)越多,那么這樣的后果導(dǎo)致產(chǎn)生的位錯(cuò)會(huì)更多嗎?為什么? 2、另外,位錯(cuò)密度越大,能說(shuō)明熱應(yīng)力就越大嗎? 請(qǐng)蟲友們做個(gè)詳細(xì)的解答,不甚感激! |
材料分析測(cè)試 |

木蟲 (小有名氣)
木蟲 (小有名氣)
| 以CZ法制備單晶硅為例,退火時(shí)緩慢釋放熱應(yīng)力不會(huì)產(chǎn)生額外位錯(cuò),最終單晶硅中位錯(cuò)密度的高低不能說(shuō)明熱應(yīng)力的多少,籽晶質(zhì)量,生長(zhǎng)方向,縮頸工藝,等徑生長(zhǎng)控制,收尾工藝都會(huì)對(duì)位錯(cuò)密度產(chǎn)生影響 |
木蟲 (小有名氣)
捐助貴賓 (正式寫手)
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呵呵 既然樓主已經(jīng)思考研究過(guò)了 就向大家介紹一下經(jīng)驗(yàn)吧~~ 小本科跪謝~~ 我的理解是 1、退火時(shí)間長(zhǎng) 則內(nèi)應(yīng)力釋放多 那么應(yīng)該位錯(cuò)越少啊~~ 而且樓主的退火溫度那么高 應(yīng)該在再結(jié)晶溫度以上 那么重結(jié)晶以后也會(huì)減少位錯(cuò)~~ 2、我覺(jué)得兩者應(yīng)該呈正相關(guān),但是無(wú)法理論說(shuō)明。 不妥之處, 還望多多指導(dǎo)~· |
捐助貴賓 (正式寫手)
新蟲 (小有名氣)
| 我做過(guò)單晶硅的應(yīng)力試驗(yàn),單晶硅Cz法尾部經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力片,如果單晶棱線斷了,還出現(xiàn)大量位錯(cuò)。為了消除應(yīng)力片(無(wú)斷棱),我做過(guò)600、700、800、900度硅片退火,應(yīng)力消除效果很不理想。而斷棱高位錯(cuò)段,應(yīng)力片數(shù)量明顯增大幾倍。所以,個(gè)人認(rèn)為,位錯(cuò)跟應(yīng)力關(guān)系很大。退火去應(yīng)力的效果不一定理想。 |
金蟲 (小有名氣)
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