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okwl木蟲(chóng) (小有名氣)
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[求助]
關(guān)于XPS分析方面的翻譯修改下英文語(yǔ)法-編輯說(shuō)語(yǔ)法錯(cuò)誤
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原文：位于283.65 eV的較低能量的峰是典型的由于Si產(chǎn)生的化學(xué)位移，所以應(yīng)該為C–Si鍵。強(qiáng)度最低的峰的結(jié)合能為285.66 eV應(yīng)該是O或者N的-I效應(yīng)引起的位移，所以推斷應(yīng)該是C–O 或 C–N鍵。 The peak with lower energy at 283.65 eV is typical for the chemical shift caused by Si Inductive Effects , corresponds to C–Si. The -I effects of O or N lead to the lowest intensity peaks at binding energies of 285.66 eV that can be assigned to C–O or C–N. |
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hongliannu
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8814402(金幣+1): 感謝應(yīng)助 2011-08-18 19:07:04
sltmac(金幣+1): 歡迎常來(lái) 2011-08-19 08:32:02
okwl(金幣+15): 謝謝應(yīng)助！ 2011-08-19 11:30:23
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okwl(金幣+15): 謝謝應(yīng)助！ 2011-08-19 11:30:23
| The peak of 283.65 eV in lower energy are is a typical chemical shift caused by Si Inductive Effects , ascribed to C–Si bond. The peaks with lowest binding energy at 285.66 can be the shift lead by -I effect of O or N, which can be asceibed to C–O or C–N. |
4樓2011-08-18 11:42:26
Carena
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【答案】應(yīng)助回帖
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okwl(金幣+20, 翻譯EPI+1): 第一句也有問(wèn)題，不過(guò)沒(méi)改。還是要多謝了！ 2011-08-16 23:00:12
愛(ài)與雨下(金幣+1): 鼓勵(lì)一下！ 2011-08-18 08:37:47
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| The peak with lower energy at 283.65 eV is a typical chemical shift caused by Si Inductive Effects , corresponding to C–Si. The binding energy of lowest intensity peaks is 285.66 as a result of -I effect of O or N, which can be inferred as C–O or C–N. |
2樓2011-08-16 22:38:08
Carena
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3樓2011-08-17 12:10:29
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