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pqyz20金蟲 (初入文壇)
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[求助]
問一下半導體電子空穴對復合率和激發(fā)光透射率的關系
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如果激發(fā)光的光子能量大于半導體的帶隙，半導體中有電子空穴激發(fā)。電子空穴對復合可分為輻射復合和非輻射復合。現(xiàn)在假設電子空穴的平均壽命為x。復合率就是1/x。 現(xiàn)在我在半導體表面引入一層金屬，會有surface plasmon產(chǎn)生。即表面等離子體。電子空穴對復合之后的能量會直接轉移到surface plasmon。這相當于電子空穴對有增加了一種復合方式。那么電子空穴對的壽命就會較少。假設現(xiàn)在電子空穴對的壽命為y、那么現(xiàn)在的復合率就是1/y。 我的問題是，同樣的激發(fā)光（光功率相同）來照射同樣厚度的半導體薄膜。一半是只有一層半導體薄膜，一半是覆蓋了一層金屬層。如果不考慮金屬層的反射問題。因為覆蓋了一層金屬，半導體的復合率增加，通俗來講電子空穴對吸收激發(fā)光的效率增加了。在同樣的時間里吸收的光子數(shù)增加了，那么在半導體薄膜另外一層測量激發(fā)光的強度，覆蓋了金屬層了半導體透過的激發(fā)光的強度比沒有覆蓋金屬的半導體的強度要小，也就是其對激發(fā)光的吸收率比單層半導體對激發(fā)光吸收 率要大，也就是透射率小。 請各位 看看我這樣分析對不對。。。 多謝。。。。 |
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【答案】應助回帖
pqyz20(金幣+10): 但是半導體對光的吸收率/光在半導體中的穿透深度和半導體在此波長光照射下的介電常數(shù)虛部有關系。那么從我的分析來看，半導體的介電常數(shù)虛部和電子空穴對的復合率有關嘍。也就是說半導體覆蓋了一層金屬之后，半導體的介電常數(shù)虛部變化了。對不？ 2011-08-19 11:42:59
pqyz20(金幣+10): 2011-08-21 09:25:06
pqyz20(金幣+10): 2011-08-21 09:25:06
| 按照您前面的介紹，可知：在覆蓋了金屬層半導體中的電子-空穴對壽命短于沒有覆蓋金屬層的。換句話說，前者的復合率 大于 后者中的復合率。 當光照達到穩(wěn)定時，前者中單位時間內(nèi)的吸收的光子數(shù)目較大，因而，你的分析應該完全正確。 |
2樓2011-08-19 10:23:05
3樓2011-08-19 22:42:56
SCU_magiclee
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4樓2011-08-22 22:28:55
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