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pqyz20金蟲 (初入文壇)
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[求助]
問一下半導體電子空穴對復合率和激發(fā)光透射率的關(guān)系
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如果激發(fā)光的光子能量大于半導體的帶隙,半導體中有電子空穴激發(fā)。電子空穴對復合可分為輻射復合和非輻射復合,F(xiàn)在假設電子空穴的平均壽命為x。復合率就是1/x。 現(xiàn)在我在半導體表面引入一層金屬,會有surface plasmon產(chǎn)生。即表面等離子體。電子空穴對復合之后的能量會直接轉(zhuǎn)移到surface plasmon。這相當于電子空穴對有增加了一種復合方式。那么電子空穴對的壽命就會較少。假設現(xiàn)在電子空穴對的壽命為y、那么現(xiàn)在的復合率就是1/y。 我的問題是,同樣的激發(fā)光(光功率相同)來照射同樣厚度的半導體薄膜。一半是只有一層半導體薄膜,一半是覆蓋了一層金屬層。如果不考慮金屬層的反射問題。因為覆蓋了一層金屬,半導體的復合率增加,通俗來講電子空穴對吸收激發(fā)光的效率增加了。在同樣的時間里吸收的光子數(shù)增加了,那么在半導體薄膜另外一層測量激發(fā)光的強度,覆蓋了金屬層了半導體透過的激發(fā)光的強度比沒有覆蓋金屬的半導體的強度要小,也就是其對激發(fā)光的吸收率比單層半導體對激發(fā)光吸收 率要大,也就是透射率小。 請各位 看看我這樣分析對不對。。。 多謝。。。。 |


木蟲 (正式寫手)
| 按照您前面的介紹,可知:在覆蓋了金屬層半導體中的電子-空穴對壽命短于沒有覆蓋金屬層的。換句話說,前者的復合率 大于 后者中的復合率。 當光照達到穩(wěn)定時,前者中單位時間內(nèi)的吸收的光子數(shù)目較大,因而,你的分析應該完全正確。 |
鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員

鐵桿木蟲 (小有名氣)
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