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摻雜方面的問題 大家?guī)兔匆幌?
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‘‘n-type doping is facilitated by materials whose conduction band minima ~CBM! are far from the vacuum level, i.e., materials with large bulk-intrinsic electron affini- ties x. Conversely, n-type doping tends to be compensated in materials with small bulk-intrinsic electron affinities. 一片關(guān)于摻雜規(guī)則的文獻(xiàn)，我的理解是CBM與n-type pinning energy越接近，越促進(jìn)N型摻雜，但這與真空能級有什么關(guān)系？ 還有 bulk-intrinsic electron affini- ties 指的是什么？ |
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buct2010
金蟲 (正式寫手)
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2樓2011-08-19 08:35:19
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This rule reflects the difficulty in n-type doping of ZnTe and AlN （Ref. 7） or diamond (x=0), the ease of n-type doping InAs, ZnO, and CdS （large x）. 傷面子這部分是接著1樓的那段話的， 根據(jù)文中的意思，應(yīng)該是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型摻雜約容易，bulk-intrinsic electron affinities越小，n型摻雜越困難 而您的意思應(yīng)該是n型半導(dǎo)體的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小，這樣是不是有點(diǎn)矛盾呢？ 還有不明白的一點(diǎn)是為什么CBM越低，bulk-intrinsic electron affinities 越大呢，本征電子親和性與CBM什么關(guān)系呢？ |
3樓2011-08-19 10:55:50
buct2010
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【答案】應(yīng)助回帖
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youzhizhe(金幣+2): 謝謝交流。已計(jì)入專家考核存檔。 2011-08-20 12:18:09
韓D小希(金幣+5): 謝謝 2011-08-20 14:18:42
youzhizhe(金幣+2): 謝謝交流。已計(jì)入專家考核存檔。 2011-08-20 12:18:09
韓D小希(金幣+5): 謝謝 2011-08-20 14:18:42
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你說的對，文中的意思是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型摻雜約容易。但這和n型半導(dǎo)體的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小不矛盾，你的n-型半導(dǎo)體的電子濃度高，就是因?yàn)閚型摻雜濃度高引起的呀。 還有CBM 越高，越接近真空能級，而真空能級是自由電子的能級，就是原子中電子擺脫原子的束縛達(dá)到的能級。n型摻雜的原里就是在CBM 底部引入電子能級。很難有原子的電子能級接近真空，自然CBM高的n型摻雜困難。既然bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型摻雜約容易，那么它的CBM 必然低了。你還是買本半導(dǎo)體物理看看吧。 |
4樓2011-08-20 09:23:18
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